【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片、显示模块及显示屏
本专利技术属于LED
,尤其涉及一种LED芯片、显示模块及显示屏。
技术介绍
在LED芯片的应用中,普通LED芯片的应用主要以照明与显示器背光模块为主,而当前迅猛发展的MiniLED芯片则以户内、户外显示屏等为其主要应用方向。在当前的LED芯片中,其设计绝大部分基于照明应用,如采用图形化衬底、分布式布拉格反射层等,当前使用的MiniLED芯片亦是使用同类设计。此类型芯片应用于照明或背光领域不存在任何问题,但应用于显示领域,则存在着重大缺陷:1、亮度过大影响显示屏舒适度。为了使得LED芯片发光亮度较为合适,现有解决方案是应用小电流驱动LED芯片。当显示较暗图形时,LED芯片容易工作于小电流密度非线性区,而在此工作区中,LED芯片亮度不一,给点测分选、显示屏的校正带来了较大困难,如分选工作量大、校正时间长、显示屏低辉一致性差等。另外,如果芯片发光亮度过大,应用于LED显示模块时,芯片表面还需覆盖较厚的黑色膜层,以使芯片出光亮度位于人眼舒适区。覆盖黑色膜层,不仅增加LED显示 ...
【技术保护点】
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:/n电流局域注入层,所述电流局域注入层用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值,有效发光区位于LED芯片的中心,LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。/n
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:
电流局域注入层,所述电流局域注入层用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值,有效发光区位于LED芯片的中心,LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。
2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,还包括:
N型半导体层,所述N型半导体层之上有第二底层电极,所述第二底层电极连接有第二外层电极;
发光层,所述发光层位于所述N型半导体层之上;
P型半导体层,所述P型半导体层位于所述发光层之上,所述电流局域注入层位于所述P型半导体层之上,所述电流局域注入层和所述P型半导体层之上还有第一底层电极,所述第一底层电极连接有第一外层电极;
其中,所述发光层为所述LED芯片发光区,所述有效发光区为所述发光层上与所述电流局域注入层正对的部分。
3.根据权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述电流局域注入层为透明导电层,所述透明导电层与所述P型半导体层欧姆接触。
4.根据权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述电流局域注入层为欧姆接触层,所述欧姆接触层与所述P型半导体层欧姆接触。
5.根据权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述第一底层电极与所述P...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡现芝,刘权锋,王印,卢敬权,
申请(专利权)人:东莞市中晶半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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