一种具有外延插入层的LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种具有外延插入层的LED芯片及其制作方法，通过将该外延插入层置于V‑pits的尖端位置，一方面可以控制V‑pits的的密度和大小，对V‑pits起到调制作用，减少载流子的非辐射复合，提高内量子效率；另一方面可以增加V‑pits尖端处的阻抗，减少穿透位错处电子的击穿，减少漏电，提高LED芯片的电性能；同时，由于所述外延插入层相邻所述浅阱层的表面为粗糙面，因此，可以改变LED芯片的出光角度，提高外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有外延插入层的LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及LED
，更具体地说，涉及一种具有外延插入层的LED芯片及其制作方法。
技术介绍
GaN作为第三代半导体材料，其应用非常广泛，比如固体照明、液晶显示背光源和汽车灯等。众所周知，对于LED发光效率的提升是业内人士追求的永恒目标。然而，首先InGaN/GaN的LED由于晶格失配比较大，导致极化效应比较强，使电子和空穴的波函数空间分离，减少电子空穴的复合几率，进而减少发光效率。其次，由于空穴的迁移率远低于电子的迁移率，因此空穴在量子阱中的迁移扩散长度有限，也是限制LED光效的主要因素。最后，随着注入电流的增加，光效显著降低，也就是说所谓的“droop”效应，也是限制LED光效的主要因素。近年来，由TD引起的V型坑(V-pits)，可以有效的改善LED的光效。众所周知，存在V-pits的MQW结构，在(10-11)方向形成的半极性MQW结构，可以增加LED的出光面积，同时增加了空穴注入量子阱的通道，可以增加空穴的扩散长度，提高发光效率。但是，V-pits在提高光效的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有外延插入层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：/n衬底；/n在所述衬底上以第一方向依次设置的N型半导体层、低掺N型氮化镓层、浅阱层、多量子阱层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层；/n设置在所述低掺N型氮化镓层和所述浅阱层之间的外延插入层。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有外延插入层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
衬底；
在所述衬底上以第一方向依次设置的N型半导体层、低掺N型氮化镓层、浅阱层、多量子阱层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层；
设置在所述低掺N型氮化镓层和所述浅阱层之间的外延插入层。


2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延插入层为高阻层。


3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延插入层的表面为粗糙面。


4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延插入层为非掺杂的氮化镓层。


5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延插入层为GaN/AlN或GaN/AlGaN组成的超晶格结构；
其中，Al组分为0.005-0.01。


6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍丽艳，吴洪浩，崔晓慧，彭露，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36