【技术实现步骤摘要】
近紫外发光二极管外延片及其制备方法
本公开涉及到了发光二极管
，特别涉及到一种近紫外发光二极管外延片及其制备方法。
技术介绍
近紫外发光二极管是一种用于光固化的发光产品，常用于食物封口材料固化、医用胶固化等，近紫外发光二极管外延片则是用于制备近紫外发光二极管基础结构。近紫外发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上生长的外延层，外延层包括依次生长在衬底上的N型层、发光层、电子阻挡层及P型层。且电子阻挡层通常为Al的组分含量较高的AlGaN电子阻挡层，AlGaN电子阻挡层中常掺杂有Mg元素，AlGaN电子阻挡层起到阻挡电子作用的同时用以提供部分空穴。但常规的Al的组分含量较高的AlGaN电子阻挡层中掺杂较多的Al元素，会影响Mg元素在AlGaN电子阻挡层中的渗入与活化，造成AlGaN电子阻挡层能够提供的空穴浓度极低；且Al的组分含量较高的AlGaN电子阻挡层中同时也存在有较多的非辐射复合中心，使得空穴在AlGaN电子阻挡层中发生非辐射复合，最终导致可以正常进入发光层与电子进行辐射复合的空穴较少，近紫外发光二极管的发光效
【技术保护点】
1.一种近紫外发光二极管外延片，所述近紫外发光二极管外延片包括衬底(1)及生长在所述衬底(1)上的外延层(2)，所述外延层(2)包括在所述衬底(1)上依次层叠的n型层(21)、发光层(22)、电子阻挡层(23)及p型层(24)，/n其特征在于，所述电子阻挡层(23)包括依次生长在所述发光层(22)上的AlN子层(231)、第一AlInGaN子层(232)与第二AlInGaN子层(233)，所述AlN子层(231)中的Al的组分含量、所述第一AlInGaN子层(232)中的Al的组分含量、所述第二AlInGaN子层(233)中的Al的组分含量依次降低，/n所述第一AlInGa...
【技术特征摘要】
1.一种近紫外发光二极管外延片，所述近紫外发光二极管外延片包括衬底(1)及生长在所述衬底(1)上的外延层(2)，所述外延层(2)包括在所述衬底(1)上依次层叠的n型层(21)、发光层(22)、电子阻挡层(23)及p型层(24)，
其特征在于，所述电子阻挡层(23)包括依次生长在所述发光层(22)上的AlN子层(231)、第一AlInGaN子层(232)与第二AlInGaN子层(233)，所述AlN子层(231)中的Al的组分含量、所述第一AlInGaN子层(232)中的Al的组分含量、所述第二AlInGaN子层(233)中的Al的组分含量依次降低，
所述第一AlInGaN子层(232)中的Al的组分含量与所述第二AlInGaN子层(233)中的Al的组分含量比值，与所述第二AlInGaN子层(232)中的In的组分含量与所述第一AlInGaN子层(233)中的In的组分含量比值相等，所述第一AlInGaN子层(232)与所述第二AlInGaN子层(233)中均掺有Mg元素，且第二AlInGaN子层(233)中的Mg的掺杂浓度与所述第一AlInGaN子层(232)中的Mg的掺杂浓度比值，与所述第一AlInGaN子层(232)中的Al的组分含量与所述第二AlInGaN子层(233)中的Al的组分含量比值相等。
2.根据权利要求1所述的近紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN子层(232)中Al的组分含量为x1，所述第一AlInGaN子层(232)中In的组分含量为y1，所述第一AlInGaN子层(232)中Mg的掺杂浓度为z1，0.3<x1≤0.6，0<y1≤0.1，2×10-19cm-3<z1≤5×10-19cm-3。
3.根据权利要求2所述的近紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN子层(232)中，x1:y1在10:1～60:1的范围内。
4.根据权利要求1～3任一项所述的近紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第二AlInGaN子层(233)中Al的组分含量为x2，所述第二AlInGaN子层(233)中In的组分含量为y2，所述第二AlInGaN子层(233)中Mg的掺杂浓度为z2，0.1<x2≤0.3，0<y2≤0.2，5×10-19cm-3<z1≤2×10-20cm-3。
5.根据权利要求1～3任一项所述的近紫外发...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪威威，王倩，董彬忠，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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