氮化物半导体发光元件制造技术

提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，具备由n型AlGaN形成的n型包覆层和位于n型包覆层上的由AlGaN形成的活性层，在活性层内，存在n型包覆层和活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。

【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体发光元件
本专利技术涉及氮化物半导体发光元件。
技术介绍
近年来，输出蓝色光的发光二极管、激光二极管等氮化物半导体发光元件已实用化，为了提高光输出，进行了各种搭配(例如，参照专利文献1)。专利文献1所记载的发光元件是在AlN系III族氮化物单晶上形成的发光波长为300nm以下的发光元件，其特征在于，具有：高浓度n型III族氮化物层；多量子阱结构，其包括n型或者i型的III族氮化物势垒层及n型或者i型的III族氮化物阱层；i型的III族氮化物最终阻隔层；p型III族氮化物层；以及电子阻挡层，其包括p型或者i型的AlN层，形成在上述i型III族氮化物最终阻隔层与上述p型III族氮化物层之间，对于上述i型III族氮化物最终阻隔层，上述电子阻挡层成为电子能量势垒，上述i型III族氮化物最终阻隔层的厚度设为2nm至10nm，上述n型或者i型的III族氮化物阱层的厚度设为2nm以下。现有技术文献专利文献专利文献1：特许第5641173号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：/nn型包覆层，其由n型AlGaN形成；以及/n活性层，其由AlGaN形成，位于上述n型包覆层上，/n在上述活性层内，存在上述n型包覆层和上述活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。/n

【技术特征摘要】
20190606 JP 2019-1062761.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：
n型包覆层，其由n型AlGaN形成；以及
活性层，其由AlGaN形成，位于上述n型包覆层上，
在上述活性层内，存在上述n型包覆层和上述活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。


2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，
上述活性层具有单量子阱结构，该单量子阱结构包括：1个势垒层，其由AlGaN形成，位于上述n型包覆层侧；以及1个阱层，其由具有比形成该1个势垒层的AlGaN的Al组分比小的Al组分比的AlGaN形成，
上述Si的浓度分布在上述1个阱层内具有上述峰。


3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，
上述活性层具备多个势垒层，该多个势垒层包含：第1势垒层，其由具有从上述n型包覆层侧朝向上述活性层侧倾斜的Al组分比的AlGaN形成；以及第2势垒层，其由AlN形成，设置在上述第1势垒层上，
上述Si的浓度分布在上述多个势垒层内具有上述峰。


4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，
上述多个势垒层还具备形成在上述第2势垒层上的第3势垒层，
上述Si的浓度分布在上述第2势垒层和上述第3势垒层的边界的附近具有上述峰。


5.根据权利要求4所述的氮化物半导体发光元件，
上述活性层还具备形成在上述第3势垒层上的1个阱层，
上述1个阱层具有3.0nm以上的厚度。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：松仓勇介，希利尔·贝诺，
申请(专利权)人：日机装株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP