温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供提高了光输出的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，具备由n型AlGaN形成的n型包覆层和位于n型包覆层上的由AlGaN形成的活性层，在活性层内，存在n型包覆层和活性层被层叠的方向上的Si的浓度分布的局部性的峰。...
该专利属于日机装株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日机装株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。