【技术实现步骤摘要】
微型元件
本专利技术涉及一种半导体元件,尤其涉及一种微型元件。
技术介绍
一般来说,为了增加发光二极管的出光效率,大都会采用黄光微影制程的方式于磊晶结构的顶表面上形成透光层。由于现在的发光二极管已经缩小至微米等级,亦即微型发光二极管(MicroLED),再通过黄光微影制程来形成透光层的制程容许度会过小,因此所形成的透光层的面积会小于磊晶结构的顶表面的面积。意即,透光层会相对于磊晶结构的顶表面的边缘内缩一距离。如此一来,发光层所发出的光线会有部分无法通过透光层而传递至外界,因而影响微型发光二极管的出光效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型元件,可具有较佳地出光效率。本专利技术的微型元件,其包括磊晶结构、绝缘层以及透光层。磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接顶表面与底表面的周围表面。绝缘层覆盖磊晶结构的周围表面与底表面,且暴露出周围表面的部分。透光层覆盖磊晶结构的顶表面,并延伸覆盖至少部分周围表面的部分。在本专利技术的一实施例中,上述的绝缘层的材料与透光层的材料相同。在本 ...
【技术保护点】
1.一种微型元件,其特征在于,包括:/n磊晶结构,具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接所述顶表面与所述底表面的周围表面;/n绝缘层,覆盖所述磊晶结构的所述周围表面与所述底表面,且暴露出所述周围表面的部分;以及/n透光层,覆盖所述磊晶结构的所述顶表面,并延伸覆盖至少部分所述周围表面的所述部分。/n
【技术特征摘要】
1.一种微型元件,其特征在于,包括:
磊晶结构,具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接所述顶表面与所述底表面的周围表面;
绝缘层,覆盖所述磊晶结构的所述周围表面与所述底表面,且暴露出所述周围表面的部分;以及
透光层,覆盖所述磊晶结构的所述顶表面,并延伸覆盖至少部分所述周围表面的所述部分。
2.根据权利要求1所述的微型元件,其特征在于,所述绝缘层的材料与所述透光层的材料相同。
3.根据权利要求1所述的微型元件,其特征在于,所述绝缘层在所述周围表面上的第一厚度等于所述透光层在所述周围表面上的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的微型元件,其特征在于,所述绝缘层在所述周围表面上的第一厚度小于所述透光层在所述周围表面上的第二厚度。
5.根据权利要求4所述的微型元件,其特征在于,所述绝缘层的所述第一厚度与所述透光层的所述第二厚度的比值大于等于0.8。
6.根据权利要求1所述的微型元件,其特征在于,所述绝缘层在所述周围表面上的第一厚度大于所述透光层在所述周围表面上的第二厚度。
7.根据权利要求6所述的微型元件,其特征在于,所述绝缘层的所述第一厚度与所述透光层的所述第二厚度的比值小于等于8。
8.根据权利要求1所述的微型元件,其特征在于,所述透光层完全覆盖所述周围表面的所述部分且连接至所述绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏义闵,吴志凌,许国君,梁胜杰,
申请(专利权)人:錼创显示科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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