一种半导体发光元件制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体发光元件，其包括半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。本实用新型专利技术第二电极的扩展条的端部超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件
本技术涉及一种半导体发光元件，属于半导体光电子器件与

技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域，同时这些应用也对LED的亮度、发光效率提出了更高的要求。为了提升LED发光效率，LED芯片设计除了逐步向小电极方面进行优化，还会向细电极引线方面进行优化，以减小挡光面积，提高发光亮度。但是，在较大电流密度下，细电极引线容易导致电流无法实现有效扩展，集中在电极引线与电极连接的一端，电流扩展不均匀、热量局部集中，导致电极和电极引线的连接处断裂，影响LED芯片的可靠性和抗静电能力。图1为现有的一种正装发光二极管的电极结构的示意图，现有正装发光二极管包括衬底1、第一导电类型半导体层2、活性层3和第二导电类型半导体层4，电流阻挡层5、透明导电层6、第一电极7和第二电极8。其中第二电极8包括焊盘8a和扩展条8b。第二电极扩展条8b位于电流阻挡层5之上，其端部未超出电流阻挡层5，电流会聚集在扩展条的前端，电流无法有效的扩展到扩展条的尾端，从而引起电流分布的不均匀，导致发光的不均匀。
技术实现思路
为了解决以上的问题，本技术通过延伸第二电极扩展条超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。为实现上述目的，本技术提供一种半导体发光元件，其包括：半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。优选的，超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于等于1。优选的，超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数为1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条与从第二电极焊盘延伸的扩展条的夹角θ的范围为0°≤θ<360°。优选的，超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条为直线状、折线状，圆弧状或者前述的任意组合之一。优选的，包括透明导电层，位于第二电极和电流阻挡层之间。作为本技术的另外一种实施方式，电流阻挡层还存在第一电极和第一导电型半导体层之间。优选的，第一电极包括焊盘和扩展条，所述第一电极扩展条的端部超出电流阻挡层。优选的，超出所述电流阻挡层的第一电极扩展条的条数大于等于1。优选的，所述扩展条为单层金属结构或多层金属结构。优选的，所述电极扩展条的材质选自金、铝、铑、铬、铝、钛、铂中的一种或者几种的组合。如上所述，本技术提供的半导体发光元件，通过金属电极的扩展条的端部超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。图1为现有技术中正装发光二极管的结构示意图。图2为实施例1中所提及的半导体发光元件的剖面示意图。图3为实施例1中所提及的半导体发光元件的俯视示意图。图4为实施例1中所提及的另一种实施方式下的半导体发光元件的俯视示意图。图5为实施例2中所提及的半导体发光元件的俯视示意图。图6为实施例2中所提及的半导体发光元件的俯视示意图。图7为实施例3中所提及的半导体发光元件的俯视示意图。图中：1：衬底；2：第一导电类型半导体层；3：活性层；4：第二导电类型半导体层；5：电流阻挡层；5a：焊盘下的电流阻挡层；5b：扩展条下的电流阻挡层；6：透明导电层；7：第一电极；7a：第一电极焊盘，7b：第一电极扩展条；7b1：第一电极延伸出来的扩展条；7b2：超出电流阻挡层的第一电极的扩展条；8：第二电极；8a：第二电极焊盘；8b：第二电极扩展条；8b1：第二电极延伸出来的扩展条；8b2、8b3、8b4、8b5：超出电流阻挡层的第二电极的扩展条；θ1、θ2：超出电流阻挡层的扩展条与从电极焊盘延伸出的扩展条的夹角。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本技术中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一本技术提供如下一种半导体发光元件，如图2所示的剖面示意图，其包括如下堆叠层：1：衬底；2：第一导电类型半导体层；3：活性层；4：第二导电类型半导体层；5：电流阻挡层；6：透明导电层；7：第一电极；7a：第一电极焊盘，7b：第一电极扩展条；8：第二电极；8a：第二电极焊盘；8b：第二电极扩展条。下面针对各结构堆叠层进行详细描述。衬底1为半导体垒晶叠层外延生长的生长基板，可为绝缘性基板或导电性基板，包括蓝宝石(Al2O3)或尖晶石(MgA12O4)的绝缘性基板；碳化硅(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、金刚石；及与氮化物半导体晶格匹配的铌酸锂、镓酸铌等氧化物基板。衬底1包括第一表面、第二表面以及侧壁，其中第一表面和第二表面相对。衬底1可包括形成在第一表面上的至少一部分区域的多个突出。衬底1的多个突出可形成为规则和/或不规则的图案。在本实施例中，所述衬底1优选为经图案化的蓝宝石基板。半导体垒晶叠层包括依次堆叠在衬底1的第一表面上的第一导电类型半导体层2、活性层3和第二导电类型半导体层4。第一导电类型半导体层2和由第二导电类型半导体层4均可由多层III-V族化合物半导体层层叠形成，其可以为单层结构或多层结构，可以为P型掺杂或者N型掺杂，p型掺杂杂质类型可以为Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba，n型掺杂杂质类型可以为Si、Ge、或者Sn，本专利技术不排除其他的元素等效替代的掺杂。当第一导电类型半导体层2为n型掺杂时，第二导电类型半导体层4为p型掺杂；当第一导电类型半导体层2为p型掺杂时，第二导电类型半导体层4为n型掺杂。本实施例中，优选第一导电类型半导体层2为n型掺杂，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其包括：/n半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；/n电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；/n第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；/n第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；/n其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其包括：
半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；
电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；
第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；
第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；
其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。


2.如权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于等于1。


3.如权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数为1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条与从第二电极焊盘延伸的扩展条的夹角θ的范围为0°≤θ<360°。


4.如权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林素慧，许圣贤，沈孟骏，陈思河，陈功，黄禹杰，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35