一种非对称取样的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种非对称取样的发光二极管，解决了现有技术中发光二极管由于电子和空穴的逸出造成载流子减少，从而降低二极管的发光效率的技术问题。本实用新型专利技术实施例提供的非对称取样的发光二极管，依次包括衬底基板、电子阻挡层、有源层、空穴阻挡层，空穴阻挡层包括至少两个第一空穴阻挡层，且在从靠近衬底基板至远离衬底基板的方向上，第一电子阻挡层的能级逐渐降低，也就是说当有源层中的电子想要跃迁至其他层时，逐渐克服的势垒越大，因此，电子也就越难跃迁至其他膜层中，因此，降低了电子的损耗，增加了电子与空穴的结合，增加了载流子的数量，提高了发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称取样的发光二极管
本技术涉及电子
，具体涉及一种一种非对称取样的发光二极管。
技术介绍
发光二极管是常见的电子器件之一，二极管功能甚多被广泛应用在许多
，例如显示发光
，即发光二极管。发光二极管是将电能转变成光的固态器件，并且通常包含夹在相反地掺杂的层之间的半导体材料的一个或多个有源层。当偏置被施加到掺杂层的两端时，空穴和电子被注入到有源层中，此处它们重新结合以生成光。光从有源层并且从的所有表面发射。但是在空穴和电子被注入到有源层的过程中会有部分电子或者空穴逸出，使得到达有源层的电子和空穴减少，进而使得空穴和电子复合后的载流子减少，降低了二极管的发光效率。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种非对称取样的发光二极管，解决了现有技术中发光二极管由于电子和空穴的逸出造成载流子减少，从而降低二极管的发光效率的技术问题。为使本技术的目的、技术手段和优点更加清楚明白，以下结合附图对本技术作进一步详细说明。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。根据本技术的一个方面，本技术一实施例提供了一种非对称取样的发光二极管，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的第一电极以及电子阻挡层，所述第一电极与所述电子阻挡层相邻设置；设置在所述电子阻挡层远离所述衬底基板一侧的有源层；设置在所述有源层远离所述电子阻挡层一侧的空穴阻挡层；以及设置在所述空穴阻挡层等远离所述有源层一侧的第二电极层；其中，所述电子阻挡层包括至少两层第一电子阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一电子阻挡层的能级依次降低。在本技术一实施例中，所述空穴阻挡层包括至少两层第一空穴阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一空穴阻挡层的能级依次升高。在本技术一实施例中，相邻两个所述第一电子阻挡层中的靠近所述衬底基板的第一电子阻挡层远离所述衬底基板的表面上设有至少一个第一凹槽；相邻两个所述第一电子阻挡层中的远离所述衬底基板的所述第一电子阻挡层靠近所述衬底基板的表面山设有至少一个第一凸起，所述第一凸起与所述第一凹槽一一对应嵌合。在本技术一实施例中，所述第一凹槽的侧壁为非极性或半极性面。在本技术一实施例中，所述第一电子阻挡层的厚度在1nm-5nm之间。在本技术一实施例中，在靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一电子阻挡层的厚度依次增加。在本技术一实施例中，相邻两个所述第一空穴阻挡层中的靠近所述衬底基板的第一空穴阻挡层远离所述衬底基板的表面上设有至少一个第二凹槽；相邻两个所述第一空穴阻挡层中的远离所述衬底基板的所述第一空穴阻挡层靠近所述衬底基板的表面山设有至少一个第二凸起，所述第二凹槽与所述第二凸起一一对应嵌合。在本技术一实施例中，所述第二凹槽的侧壁为非极性或半极性面。本技术实施例提供的非对称取样的发光二极管，依次包括衬底基板、电子阻挡层、有源层、空穴阻挡层，空穴阻挡层包括至少两个第一空穴阻挡层，且在从靠近衬底基板至远离衬底基板的方向上，第一电子阻挡层的能级逐渐降低，也就是说当有源层中的电子想要跃迁至其他层时，逐渐克服的势垒越大，因此，电子也就越难跃迁至其他膜层中，因此，降低了电子的损耗，增加了电子与空穴的结合，增加了载流子的数量，提高了发光二极管的发光效率。附图说明图1所示为本技术一实施例提供的一种非对称取样的发光二极管的结构示意图；图2所示为本技术另一实施例提供的一种非对称取样的发光二极管的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1所示为本技术一实施例提供的一种非对称取样的发光二极管的结构示意图，如图1所示，一种非对称取样的发光二极管，包括：衬底基板1；设置在衬底基板1上的第一电极2以及电子阻挡层3，第一电极2与电子阻挡层3相邻设置；设置在电子阻挡层3远离衬底基板1一侧的有源层4；设置在有源层4远离电子阻挡层3一侧的空穴阻挡层5；以及设置在空穴阻挡层5等远离有源层4一侧的第二电极6层；其中，电子阻挡层3包括至少两层第一电子阻挡层31，在从靠近衬底基板1至远离衬底基板1的方向上，第一电子阻挡层31的能级依次降低。本技术实施例提供的非对称取样的发光二极管，在从靠近衬底基板1至远离衬底基板1的方向上，第一电子阻挡层31的能级逐渐降低，也就是说当有源层4中的电子想要跃迁至其他层时，逐渐克服的势垒越大，因此，电子也就越难跃迁至其他膜层中，因此，降低了电子的损耗，增加了电子与空穴的结合，增加了载流子的数量，提高了发光二极管的发光效率。在本技术一实施例中，空穴阻挡层5包括至少两层第一空穴阻挡层51，在从靠近衬底基板1至远离衬底基板1的方向上，第一空穴阻挡层51的能级依次升高。本技术实施例提供的非对称取样的发光二极管，在从靠近衬底基板1至远离衬底基板1的方向上，第一空穴阻挡层51的能级逐渐升高，也就是说当有源层4中的电子想要跃迁至其他层时，逐渐克服的势垒越大，因此，空穴也就越难跃迁至其他膜层中，因此，降低了空穴的损耗，增加了电子与空穴的结合，增加了载流子的数量，提高了发光二极管的发光效率。在本技术一实施例中，图2所示为本技术一实施例提供的一种非对称取样的发光二极管的结构示意图，如图2所示，相邻两个第一电子阻挡层31中的靠近衬底基板1的第一电子阻挡层31远离衬底基板1的表面上设有至少一个第一凹槽312；相邻两个第一电子阻挡层31中的远离衬底基板1的第一电子阻挡层31靠近衬底基板1的表面山设有至少一个第一凸起311，第一凸起311与第一凹槽312一一对应嵌合。在本技术一实施例中，第一凹槽312的侧壁为非极性或半极性面。由于第一凹槽312的侧壁为非极性或者半极性面，具有更小的压电效应，有效的降低了压电场，增强了电子的注入，降低电子的泄漏，进而提高发光二极管的发光效率。在本技术一实施例中，第一电子阻挡层31的厚度在1nm-5nm之间。第一电子阻挡层31的厚度在1nm-5nm之间，使得整个电子阻挡层的厚度不会太厚。在本技术一实施例中，在靠近衬底基板1至远离衬底基板1的方向上，第一电子阻挡层31的厚度依次增加。也就是说最靠近有源层4的第一电子阻挡层31的厚度最大，因此可以进一步阻挡电子最初跃迁到其他层的机会，因此，进一步增加了发光二极管的发光效率。在本技术一实施例中，如图2所示，相邻两个第一空穴阻挡层51中的靠近衬底基板1的第一空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非对称取样的发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n设置在所述衬底基板上的第一电极以及电子阻挡层，所述第一电极与所述电子阻挡层相邻设置；/n设置在所述电子阻挡层远离所述衬底基板一侧的有源层；/n设置在所述有源层远离所述电子阻挡层一侧的空穴阻挡层；以及/n设置在所述空穴阻挡层等远离所述有源层一侧的第二电极层；/n其中，所述电子阻挡层包括至少两层第一电子阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一电子阻挡层的能级依次降低。/n

【技术特征摘要】
1.一种非对称取样的发光二极管，其特征在于，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的第一电极以及电子阻挡层，所述第一电极与所述电子阻挡层相邻设置；
设置在所述电子阻挡层远离所述衬底基板一侧的有源层；
设置在所述有源层远离所述电子阻挡层一侧的空穴阻挡层；以及
设置在所述空穴阻挡层等远离所述有源层一侧的第二电极层；
其中，所述电子阻挡层包括至少两层第一电子阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一电子阻挡层的能级依次降低。


2.根据权利要求1所述的非对称取样的发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层包括至少两层第一空穴阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一空穴阻挡层的能级依次升高。


3.根据权利要求1所述的非对称取样的发光二极管，其特征在于，相邻两个所述第一电子阻挡层中的靠近所述衬底基板的第一电子阻挡层远离所述衬底基板的表面上设有至少一个第一凹槽；相邻两个所述第一电子阻挡层中的远离所述衬底基板的所述第一电子阻挡层靠近所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永刚，郭丽彬，
申请(专利权)人：天津市光纳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12