一种非对称取样的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种非对称取样的发光二极管，解决了现有技术中发光二极管由于电子和空穴的逸出造成载流子减少，从而降低二极管的发光效率的技术问题。本实用新型专利技术实施例提供的非对称取样的发光二极管，依次包括衬底基板、电子阻挡层、有源层、空穴阻挡层，空穴阻挡层包括至少两个第一空穴阻挡层，且在从靠近衬底基板至远离衬底基板的方向上，第一电子阻挡层的能级逐渐降低，也就是说当有源层中的电子想要跃迁至其他层时，逐渐克服的势垒越大，因此，电子也就越难跃迁至其他膜层中，因此，降低了电子的损耗，增加了电子与空穴的结合，增加了载流子的数量，提高了发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称取样的发光二极管
本技术涉及电子
，具体涉及一种一种非对称取样的发光二极管。
技术介绍
发光二极管是常见的电子器件之一，二极管功能甚多被广泛应用在许多
，例如显示发光
，即发光二极管。发光二极管是将电能转变成光的固态器件，并且通常包含夹在相反地掺杂的层之间的半导体材料的一个或多个有源层。当偏置被施加到掺杂层的两端时，空穴和电子被注入到有源层中，此处它们重新结合以生成光。光从有源层并且从的所有表面发射。但是在空穴和电子被注入到有源层的过程中会有部分电子或者空穴逸出，使得到达有源层的电子和空穴减少，进而使得空穴和电子复合后的载流子减少，降低了二极管的发光效率。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种非对称取样的发光二极管，解决了现有技术中发光二极管由于电子和空穴的逸出造成载流子减少，从而降低二极管的发光效率的技术问题。为使本技术的目的、技术手段和优点更加清楚明白，以下结合附图对本技术作进一步详细说明。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非对称取样的发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n设置在所述衬底基板上的第一电极以及电子阻挡层，所述第一电极与所述电子阻挡层相邻设置；/n设置在所述电子阻挡层远离所述衬底基板一侧的有源层；/n设置在所述有源层远离所述电子阻挡层一侧的空穴阻挡层；以及/n设置在所述空穴阻挡层等远离所述有源层一侧的第二电极层；/n其中，所述电子阻挡层包括至少两层第一电子阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一电子阻挡层的能级依次降低。/n

【技术特征摘要】
1.一种非对称取样的发光二极管，其特征在于，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的第一电极以及电子阻挡层，所述第一电极与所述电子阻挡层相邻设置；
设置在所述电子阻挡层远离所述衬底基板一侧的有源层；
设置在所述有源层远离所述电子阻挡层一侧的空穴阻挡层；以及
设置在所述空穴阻挡层等远离所述有源层一侧的第二电极层；
其中，所述电子阻挡层包括至少两层第一电子阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一电子阻挡层的能级依次降低。


2.根据权利要求1所述的非对称取样的发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层包括至少两层第一空穴阻挡层，在从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上，所述第一空穴阻挡层的能级依次升高。


3.根据权利要求1所述的非对称取样的发光二极管，其特征在于，相邻两个所述第一电子阻挡层中的靠近所述衬底基板的第一电子阻挡层远离所述衬底基板的表面上设有至少一个第一凹槽；相邻两个所述第一电子阻挡层中的远离所述衬底基板的所述第一电子阻挡层靠近所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永刚，郭丽彬，
申请(专利权)人：天津市光纳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12