【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶结构的、可由Ｘ射线激发的闪烁体，包括具有立方晶系结构的、烧结的稀土掺杂氧化钆－氧化钇陶瓷，该闪烁体经过了受控含氧环境下的退火处理，以减少在把上述Ｘ射线转换成显示图象的过程中，受Ｘ辐射而产生的辐射损伤，所述陶瓷包括：大约５～５０个 克分子百分比的Ｇｄ↓〔２〕Ｏ↓〔２〕、大约０．０５～１２个克分子百分比的选自Ｅｕ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕和Ｎｄ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕的稀土活性氧化物和０．０００１～０．５个克分子百分比的至少一种选自Ｐｒ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕和Ｔｂ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕的余辉衰减剂，上述成份的其余部分为ｙ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特约瑟夫里德纳，埃多根奥默尔吉尔门，查理斯戴维德格里斯科维奇，多米尼克安索尼库萨诺，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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