【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于核辐射领域中的剂量监测技术。是对60Coγ-射线和电子束的辐射加工技术中对辐照剂量监测用的剂量信息记录介质LiF晶片的制造及使用方法。目前在国内外对核辐射加工技术的应用日益广泛医学上的辐射治疗;医疗用品、化工品和中成药的无菌消毒;农业上辐射育种;仪器的贮藏与保鲜;化工材料合成和改性及半导体等固体材料改性等等方面的应用技术发展很快。随着工业辐照装置的相继建成，对剂量的监测和控制技术;在国内外已成重要的研究课题。物质经过辐照后的各种效应(生物，化学，物理等)一般地都与辐照吸收剂量有一定的函数关系;辐射加工中的质量控制与辐射剂量的参数有关。对辐射剂量的测量，除国家标准和传递系统外、常规监测系统也是必要的组成部分。目前使用的常规剂量计大都由高分子材料和染料组成。这些剂量计一般有以下缺点制造困难;对可见光、温度、湿度都很敏感;剂量范围小;受剂量率的影响较明显;对γ射线和电子束的响应有较大的差别;记录的信息稳定期短。目前对105GY以上的剂量范围还没有比较简便易行的测试和控制手段。1969年，W.J.Vaughan和L.O.Miller〔1〕提出利用LiF...
【技术保护点】
一种属于在核辐射加工领域中的剂量监测技术，用于６０↓［Ｃｏ］γ′－射线和电子束辐射照的剂量计：其特征是监测剂量范围是１０↑［２］－１０↑［７］ＧＹ，选用的剂量信息记录介质是ＬｉＦ晶片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王存达，陈范欣，李浩，杨文英，关迟，
申请(专利权)人：天津市技术物理研究所，天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
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