3DNAND存储器件的结构及其形成方法技术

提供了一种3D NAND存储器件的结构和制造方法，所述3D NAND存储器件的结构包括：衬底；所述衬底上的第一堆叠层；所述第一堆叠层上的第二堆叠层；所述第一堆叠层与所述第二堆叠层之间的阻隔层；以及延伸穿过所述第一堆叠层、所述阻隔层和所述第二堆叠层的沟道结构，其中，所述沟道结构包括功能层和由所述功能层围绕的沟道层。

【技术实现步骤摘要】
3DNAND存储器件的结构及其形成方法本申请是申请日为2018年10月26日、申请号为201880002276.X、名称为“3DNAND存储器件的结构及其形成方法”的申请的分案申请。
本公开总体涉及半导体
，并且更具体地涉及三维(3D)NAND存储器件的结构及其形成方法。
技术介绍
计算机环境范例已经变化为任何时间以及任何地方都能够使用的无处不在的计算系统。归因于此事实，诸如移动电话、数字相机、以及笔记本电脑的便携式电子设备的使用已得到迅速的增张。这些便携式电子设备通常使用具有存储器件的存储系统，存储器件即数据储存器件。数据储存器件用作这些便携式电子设备中的主存储器件或辅助存储器件。从而，诸如存储系统的数字数据储存器的可靠性和性能是关键的。使用存储器件的这些数据储存器件提供极好的稳定性、耐用性、高信息存取速度、以及低功耗。具有这些优点的数据储存器件的范例包括通用串行总线(USB)存储器件、具有各种接口的存储卡、以及固态驱动器(SSD)。以上提到的数据储存器件可以包括各种闪存部件。两种主要类型的闪存部件以NAND和NOR逻辑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成3D NAND存储器件的结构的方法，包括：/n在衬底上形成第一堆叠层；/n形成延伸穿过所述第一堆叠层的第一沟道孔；/n在所述第一沟道孔和所述第一堆叠层的表面上形成阻隔层；/n在所述第一沟道孔中形成牺牲层；/n在所述第一堆叠层和所述牺牲层上形成第二堆叠层；/n执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过所述第二堆叠层并至少部分地与所述第一沟道孔交叠的第二沟道孔，并去除所述第一沟道孔中的所述牺牲层，其中，所述开口的侧壁的至少一部分与所述第二沟道孔的侧壁对准，并且其中，所述第二沟道孔的直径大于所述第一沟道孔的直径；/n去除所述阻隔层的从所述第二沟道孔暴露的部分以形成开口，其中，所述开口的宽度大于所述...

【技术特征摘要】
1.一种形成3DNAND存储器件的结构的方法，包括：
在衬底上形成第一堆叠层；
形成延伸穿过所述第一堆叠层的第一沟道孔；
在所述第一沟道孔和所述第一堆叠层的表面上形成阻隔层；
在所述第一沟道孔中形成牺牲层；
在所述第一堆叠层和所述牺牲层上形成第二堆叠层；
执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过所述第二堆叠层并至少部分地与所述第一沟道孔交叠的第二沟道孔，并去除所述第一沟道孔中的所述牺牲层，其中，所述开口的侧壁的至少一部分与所述第二沟道孔的侧壁对准，并且其中，所述第二沟道孔的直径大于所述第一沟道孔的直径；
去除所述阻隔层的从所述第二沟道孔暴露的部分以形成开口，其中，所述开口的宽度大于所述第一沟道孔的顶端的宽度；以及
在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的表面上形成功能层。


2.如权利要求1所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，还包括在形成所述阻隔层之前执行硅外延生长工艺，以在从所述第一沟道孔暴露的所述衬底上形成外延结构。


3.如权利要求2所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，还包括执行第二蚀刻工艺，以去除所述功能层的一部分并暴露所述外延结构。


4.如权利要求3所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，还包括在所述第二蚀刻工艺之后，在所述外延结构和所述功能层的表面上形成沟道层。


5.如权利要求4所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，还包括在所述沟道层上形成填充电介质，并且所述填充电介质填满所述第一沟道孔和所述第二沟道孔。


6.如权利要求1所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，其中，所述第一堆叠层和所述第二堆叠层包括电介质/氮化物层对。


7.如权利要求1所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，其中，所述功能层包括阻挡层、电荷捕获层和隧穿层。


8.如权利要求1所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，其中，所述第一沟道孔和所述第二沟道孔完全交叠。


9.如权利要求1所述的形成3DNAND存储器件的结构的方法，其中，所述阻隔层的材料包括氮化钛(TiN)或钨(W)。


10.一种3DNAND存储器件的结构，包括：
衬底；
所述衬底上的第一堆叠层；
延...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，顾立勋，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42