一种3D NAND存储器件及其制造方法技术

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，该制造方法可以包括，提供衬底，在衬底上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，堆叠层的侧壁为台阶结构，台阶结构的台阶面为牺牲层，在台阶结构的侧壁上形成第一介质层后，在台阶结构的台阶面上形成第二介质层，第二介质层和牺牲层的材料一致，这样第二介质层与台阶面的牺牲层接触，而第一介质层将第二介质层和侧壁上的牺牲层隔离开。因此，可以在台阶结构被第三介质层覆盖后，去除牺牲层和第二介质层，得到栅极间隙，在栅极间隙中填充导电材料，得到栅极层，栅极层具有更高的可靠性，且即使第二介质层的厚度较大而使栅极层的端部较厚，也不会使不同的栅极层接触，因此可以实现栅极层的可靠的引出。

【技术实现步骤摘要】
一种3DNAND存储器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种3DNAND存储器件及其制造方法。
技术介绍
在3DNAND存储器件结构中，采用垂直堆叠多层栅极的方式，堆叠层的中心区域为核心存储区、边缘区域为台阶结构，核心存储区用于形成存储单元串，堆叠层中的栅极层作为每一层存储单元的栅线，栅线通过台阶上的接触引出，从而实现堆叠式的3DNAND存储器件。具体的，台阶结构上可以形成有介质层，对介质层进行刻蚀可以得到贯穿至台阶结构的台阶接触孔，台阶接触孔可以暴露台阶结构中的栅极层，这样在台阶接触孔中填充导电材料后，可以形成台阶接触孔中的引出线，从而实现台阶处栅线的引出。然而，实际操作中，在对介质层进行刻蚀得到台阶接触孔的过程中，可能会对栅极层造成损伤，在栅极层较薄时，可能穿透栅极层甚至导致不同的栅极层之间错误连接，影响器件性能。如何实现可靠的栅极引出，是本领域一个重要的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种3DNAND存储器件及其制造方法，有效控制工艺质量，保证器件性能。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构，所述台阶结构的台阶面为牺牲层；/n在所述台阶结构的侧壁上形成第一介质层后，在所述台阶结构的台阶面上形成第二介质层；所述第二介质层和所述牺牲层的材料一致；/n在所述台阶结构被第三介质层覆盖后，去除所述牺牲层和所述第二介质层，得到栅极间隙；并在所述栅极间隙中填充导电材料，得到栅极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构，所述台阶结构的台阶面为牺牲层；
在所述台阶结构的侧壁上形成第一介质层后，在所述台阶结构的台阶面上形成第二介质层；所述第二介质层和所述牺牲层的材料一致；
在所述台阶结构被第三介质层覆盖后，去除所述牺牲层和所述第二介质层，得到栅极间隙；并在所述栅极间隙中填充导电材料，得到栅极层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述台阶结构的台阶面上形成第二介质层包括：
沉积第二介质材料；
对所述第二介质材料进行各向异性处理，刻蚀去除位于所述台阶结构的侧壁的第二介质材料，以得到位于台阶结构的台阶面上的第二介质层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度大于所述绝缘层。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，在所述台阶结构的侧壁上形成第一介质层，包括：
沉积第一介质材料；
利用各向异性刻蚀，去除所述台阶结构的台阶面上的第一介质材料，以得到位于所述台阶结构的侧壁上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文杰，阳叶军，邵克坚，周文华，赵亮亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42