一种3D NAND存储器件及其制造方法技术

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，该制造方法可以包括，提供衬底，在衬底上形成绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层的侧壁为台阶结构，台阶结构上覆盖有缓冲层以及缓冲层上的介质层，这样，对介质层和缓冲层进行刻蚀，可以形成贯穿至台阶结构的台阶接触孔，缓冲层在被刻蚀过程中产生聚合物以降低台阶接触孔的刻蚀速率，相当于在栅极层上形成一层保护层，在台阶接触孔的刻蚀过程中，保护层阻止对栅极层的刻蚀损伤，提高台阶接触孔的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种3DNAND存储器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种3DNAND存储器件及其制造方法。
技术介绍
在3DNAND存储器件结构中，采用垂直堆叠多层栅极的方式，堆叠层的中心区域为核心存储区、边缘区域为台阶结构，核心存储区用于形成存储单元串，堆叠层中的导电层作为每一层存储单元的栅线，栅线通过台阶上的接触引出，从而实现堆叠式的3DNAND存储器件。具体的，台阶结构上可以形成有介质层，对介质层进行刻蚀可以得到贯穿至台阶结构的台阶接触孔，台阶接触孔可以暴露台阶结构中的导电层，这样在台阶接触孔中填充导电材料后，可以形成台阶接触孔中的引出线，从而实现台阶处栅线的引出。然而，实际操作中，在对介质层进行刻蚀得到台阶接触孔的过程中，可能会对导电层造成损伤，在导电层较薄时，可能穿透导电层甚至导致不同的导电层之间错误连接，影响器件性能。如何实现可靠的栅极引出，是本领域一个重要的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种3DNAND存储器件及其制造方法，有效控制工艺质量，保证器件性能。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构；所述台阶结构上覆盖有缓冲层及所述缓冲层上的介质层；/n对所述介质层和所述缓冲层进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔；所述缓冲层在被刻蚀过程中产生聚合物以降低所述台阶接触孔的刻蚀速率。/n

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构；所述台阶结构上覆盖有缓冲层及所述缓冲层上的介质层；
对所述介质层和所述缓冲层进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔；所述缓冲层在被刻蚀过程中产生聚合物以降低所述台阶接触孔的刻蚀速率。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包括氧化硅层及所述氧化硅层上的氮氧化硅层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度范围为200-500A，所述氮氧化硅层的厚度范围为50-300A。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层中氮和氧的比例范围为10％-50％。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，包括：
在衬底上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层；
在所述堆叠层的侧壁形成台阶结构；
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【专利技术属性】
技术研发人员：张文杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42