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本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，该制造方法可以包括，提供衬底，在衬底上形成绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层的侧壁为台阶结构，台阶结构上覆盖有缓冲层以及缓冲层上的介质层，这样，对介质层和缓冲层进行刻蚀，可以形成贯穿至台阶结构的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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