存储器件及其形成方法技术

技术编号:26045360 阅读:49 留言:0更新日期:2020-10-23 21:25
存储器件包括底部选择栅(BSG)结构。在衬底上穿过BSG结构垂直形成切缝。在BSG结构上形成单元‑层结构。栅极线狭缝垂直穿过单元‑层结构和BSG结构形成至衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分指状区域。栅极线狭缝包括在第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝。切缝包括第一切缝,第一切缝形成于第二指状区域中并连接到栅极线子狭缝,以在第二指状区域的第一部分中限定BSG。第二指状区域的第一部分中的BSG通过一个栅极线子狭缝和相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在第一指状区域中的单元串。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器件及其形成方法
概括地说,本申请涉及存储技术的领域,并且更具体而言,涉及存储器件及其形成方法。
技术介绍
3维存储器件,诸如NAND存储器件中常常使用阶梯结构。阶梯结构可以包括许多电极阶梯。可以在阶梯上形成垂直接触以电连接到对应电极。底部选择栅是用于选择NAND串的电极,并且底部选择栅的阶梯处于阶梯结构的底部。
技术实现思路
本公开内容的一个方面包括存储器件。该存储器件包括在衬底上的底部选择栅(BSG)结构,包括穿过所述BSG结构垂直形成的切缝。单元-层结构形成于BSG结构上。栅极线狭缝垂直穿过单元-层结构和BSG结构结构形成至衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域。栅极线狭缝包括在多个指状区域中的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝。切缝包括第一切缝,第一切缝形成于第二指状区域中并且连接到第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝,以在第二指状区域的第一部分中限定BSG。在第二指状区域的第一部分中的BSG通过在第一栅极线狭缝的一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在第一指状区域中的单元串。可选地,第一切缝将在第二指状区域的第一部分中的BSG与在第二指状区域的第二部分中的BSG电分隔。在第二指状区域的第二部分中的BSG电连接到在第二指状区域中的单元串。在第二指状区域的第一部分中的BSG和在第二指状区域的第二部分中的BSG具有距衬底相同的高度。可选地,切缝还包括一个或多个第二切缝,各自连接在相同栅极线狭缝中的相邻栅极线子狭缝。可选地,该存储器件还包括形成于在衬底上方的多个指状区域中的伪沟道;以及形成于除第一指状区域之外的多个指状区域中BSG结构的BSG上的接触。可选地,第一指状区域被限定在连续栅极线狭缝与包括栅极线子狭缝的第一栅极线狭缝之间。壁结构形成于衬底上方的第一指状区域中。壁结构包括交替电极/绝缘层对的堆叠结构。可选地,切缝在衬底上的正投影包括直线段。可选地,该存储器件还包括另一BSG结构。衬底包括阶梯结构区域,并且在衬底的阶梯结构区域中形成掺杂阱。BSG结构和另一BSG结构形成于衬底的阶梯结构区域上且在掺杂阱的相对侧上。BSG结构的顶部和另一BSG结构的顶部具有距衬底不同的高度。衬底还包括第一阵列区域和第二阵列区域,并且阶梯结构区域在第一阵列区域和第二阵列区域之间,沿第二横向方向布置。可选地,单元-层结构包括交替电极/绝缘层对的堆叠结构。可选地,在BSG结构上方的第二指状区域中的字线通过在第一栅极线狭缝的一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分连接到在第一指状区域中的电极层。可选地,存储器件还包括形成于切缝中的绝缘材料。本公开内容的另一方面包括一种用于形成存储器件的方法。在衬底上形成底部选择栅(BSG)结构。在衬底上穿过BSG结构垂直形成切缝。在BSG结构上形成单元-层结构。栅极线狭缝垂直穿过单元-层结构和BSG结构结构形成至衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域。栅极线狭缝包括在多个指状区域的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝。切缝包括第一切缝,第一切缝形成于第二指状区域中并且连接到第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝,以在第二指状区域的第一部分中限定BSG。在第二指状区域的第一部分中的BSG通过在第一栅极线狭缝的一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在第一指状区域中的单元串。可选地,第一切缝将在第二指状区域的第一部分中的BSG与在第二指状区域的第二部分中的BSG电分隔。可选地,在第二指状区域的第二部分中的BSG电连接到在第二指状区域中的单元串。在第二指状区域的第一部分中的BSG和在第二指状区域的第二部分中的BSG具有距衬底相同的高度。切缝还包括一个或多个第二切缝,各自连接在相同栅极线狭缝中的相邻栅极线子狭缝。可选地,在衬底上方的多个指状区域中形成伪沟道;并且在除第一指状区域之外的多个指状区域中的BSG上形成接触。可选地,第一指状区域被限定在连续栅极线狭缝与包括栅极线子狭缝的第一栅极线狭缝之间。壁结构形成于衬底上方的第一指状区域中。壁结构包括交替电极/绝缘层对的堆叠结构。可选地,切缝在衬底上的正投影包括直线段。可选地,形成另一BSG结构。衬底包括阶梯结构区域,以及形成在衬底的阶梯结构区域中的掺杂阱。BSG结构和另一BSG结构形成于衬底的阶梯结构区域上且在掺杂阱的相对侧上。BSG结构的顶部和另一BSG结构的顶部具有距衬底不同的高度。衬底还包括第一阵列区域和第二阵列区域,并且阶梯结构区域在第一阵列区域与第二阵列区域之间,沿第二横向方向布置。可选地,单元-层结构在形成栅极线狭缝之前包括交替牺牲层/绝缘层对的堆叠结构。可选地,在BSG结构上方的第二指状区域中的字线通过在第一栅极线狭缝的一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分连接到在第一指状区域中的电极层。可选地,在切缝中沉积绝缘材料。本公开内容的其它方面可以由本领域的技术人员考虑到本公开内容的说明书、权利要求和附图来理解。附图说明图1示出了根据本公开内容的各实施例的示例性三维(3D)存储器件的示意图。图2示出了根据本公开内容的各实施例的示例性3D存储器件的第一半导体结构的示意图。图3示出了根据本公开内容的各实施例的在3D存储器件的块中的示例性阶梯结构区域。图4示出了根据本公开内容的各实施例的用于形成三维存储器件的示例性方法的流程图。图5示出了根据本公开内容的各实施例的示例性3D存储器件的衬底的示意图。图6到图9示出了根据本公开内容的各实施例的在形成底部选择栅(BSG)结构的过程期间在特定阶段的结构。图10示出了根据本公开内容的各实施例的形成切缝的过程期间在特定阶段的结构。图11到图16示出了根据本公开内容的各实施例的在形成单元-层结构的过程期间在特定阶段的结构。图17到图18示出了根据本公开内容的各实施例的在形成沟道的过程期间在特定阶段的结构。图19到图20示出了根据本公开内容的各实施例的在形成一个或多个栅极线狭缝的过程期间在特定阶段的结构。图21示出了根据本公开内容的各实施例的在去除3D存储器件中的牺牲层并且形成多个电极之后,沿图19中的方向C1-C2的截面图。图22示出了根据本公开内容的各实施例的示例性栅极线狭缝和切缝在衬底上的正投影的示意图。图23示出了根据本公开内容的各实施例的在形成接触的过程期间在特定阶段的结构。图24示出了根据本公开内容的各实施例的包括在第一半导体结构上的第二半导体结构的示例性3D存储器件。图25示出了根据本公开内容的各实施例的另一种示例性3D存储器件。图26示出了根据本公开内容的各实施例,3D存储器件的栅极线狭缝和切缝的并且在阶梯结构区域中的正投影的另一示意图。具体实施方式下文参考附图描本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件,包括:/n衬底上的底部选择栅(BSG)结构,包括穿过所述BSG结构垂直形成的切缝;/n形成于所述BSG结构上的单元-层结构;以及/n栅极线狭缝,所述栅极线狭缝垂直穿过所述单元-层结构和所述BSG结构形成至所述衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域,其中:/n所述栅极线狭缝包括在所述多个指状区域中的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,所述第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝,并且/n所述切缝包括第一切缝,所述第一切缝形成于所述第二指状区域中并且连接到所述第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝,以在所述第二指状区域的第一部分中限定BSG,其中:/n在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述BSG通过在所述第一栅极线狭缝的所述一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在所述第一指状区域中的单元串。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器件,包括:
衬底上的底部选择栅(BSG)结构,包括穿过所述BSG结构垂直形成的切缝;
形成于所述BSG结构上的单元-层结构;以及
栅极线狭缝,所述栅极线狭缝垂直穿过所述单元-层结构和所述BSG结构形成至所述衬底中,并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域,其中:
所述栅极线狭缝包括在所述多个指状区域中的第一指状区域与第二指状区域之间的第一栅极线狭缝,所述第一栅极线狭缝包括栅极线子狭缝,并且
所述切缝包括第一切缝,所述第一切缝形成于所述第二指状区域中并且连接到所述第一栅极线狭缝的栅极线子狭缝,以在所述第二指状区域的第一部分中限定BSG,其中:
在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述BSG通过在所述第一栅极线狭缝的所述一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分电连接到在所述第一指状区域中的单元串。


2.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述第一切缝将在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述BSG与在所述第二指状区域的第二部分中的BSG电分隔。


3.根据权利要求2所述的器件,其中:
在所述第二指状区域的所述第二部分中的所述BSG被电连接到在所述第二指状区域中的单元串。


4.根据权利要求3所述的器件,其中:
在所述第二指状区域的所述第一部分中的所述BSG和在所述第二指状区域的所述第二部分中的所述BSG具有距所述衬底相同的高度。


5.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述切缝还包括一个或多个第二切缝,各自连接在相同栅极线狭缝中的相邻栅极线子狭缝。


6.根据权利要求1所述的器件,还包括:
形成于所述衬底上方在所述多个指状区域中的伪沟道;以及
形成于所述BSG结构的在不包括所述第一指状区域的所述多个指状区域中的BSG上的接触。


7.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述第一指状区域被限定在连续栅极线狭缝与包括所述栅极线子狭缝的第一栅极线狭缝之间。


8.根据权利要求7所述的器件,其中:
壁结构形成在所述衬底上方的所述第一指状区域中,其中,所述壁结构包括交替的电极/绝缘层对的堆叠结构。


9.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述切缝在所述衬底上的正投影包括直线段。


10.根据权利要求1所述的器件,还包括:
另一BSG结构,其中:
所述衬底包括阶梯结构区域,并且掺杂阱形成在所述衬底的所述阶梯结构区域中,并且
所述BSG结构和所述另一BSG结构形成于所述衬底的所述阶梯结构区域上且在所述掺杂阱的相对侧上。


11.根据权利要求10所述的器件,其中:
所述BSG结构的顶部和所述另一BSG结构的顶部具有距所述衬底不同的高度。


12.根据权利要求10所述的器件,其中:
所述衬底还包括第一阵列区域和第二阵列区域,并且
所述阶梯结构区域在所述第一阵列区域与所述第二阵列区域之间,沿第二横向方向布置。


13.根据权利要求1所述的器件,其中:
所述单元-层结构包括交替的电极/绝缘层对的堆叠结构。


14.根据权利要求1所述的器件,其中:
在所述BSG结构上方在所述第二指状区域中的字线通过在所述第一栅极线狭缝的一个栅极线子狭缝与相邻栅极线子狭缝之间的居间部分连接到在所述第一指状区域中的电极层。


15.根据权利要求1所述的器件,还包括:
形成于所述切缝中的绝缘材料。


16.一种用于形成存储器件的方法,包...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙中旺张中刘磊周文犀夏志良
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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