半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括：形成单元芯片，该单元芯片包括第一基板、位于第一基板上的源极层、位于源极层上的层叠结构、以及穿过层叠结构并联接到源极层的沟道层；将单元芯片翻转；通过从单元芯片去除第一基板来暴露源极层的后表面；对源极层的后表面执行表面处理，以减小源极层的电阻；形成外围电路芯片，该外围电路芯片包括第二基板和位于第二基板上的电路；以及将包括具有减小的电阻的源极层的单元芯片接合到外围电路芯片。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
无论电源开/关情况如何，非易失性存储器装置都保持所存储的数据。近来，存储器单元按照单层形成在基板上的二维非易失性存储器装置的集成密度的增加已经受到限制。因此，已经提出了其中存储器单元在基板上沿垂直方向层叠的三维非易失性存储器装置。三维非易失性存储器装置可以包括彼此交替层叠的层间绝缘层和栅极以及穿过层间绝缘层和栅极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。已经开发出各种结构和制造方法来提高三维非易失性存储器装置的操作可靠性。
技术实现思路
根据一个实施方式，一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成单元芯片，该单元芯片包括第一基板、位于第一基板上的源极层、位于源极层上的层叠结构、以及穿过层叠结构并联接到源极层的沟道层；将单元芯片翻转；通过从单元芯片去除第一基板来暴露源极层的后表面；对源极层的后表面执行表面处理，以减小源极层的电阻；形成外围电路芯片，该外围电路芯片包括第二基板和位于第二基板上的电路；以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：/n形成单元芯片，该单元芯片包括第一基板、位于所述第一基板上的源极层、位于所述源极层上的层叠结构以及穿过所述层叠结构并且联接到所述源极层的沟道层；/n将所述单元芯片翻转；/n通过从所述单元芯片去除所述第一基板来暴露所述源极层的后表面；/n对所述源极层的所述后表面执行表面处理，以减小所述源极层的电阻；/n形成外围电路芯片，该外围电路芯片包括第二基板和位于所述第二基板上的电路；以及/n将包括具有减小的电阻的所述源极层的所述单元芯片接合到所述外围电路芯片。/n

【技术特征摘要】
20190507 KR 10-2019-00532171.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
形成单元芯片，该单元芯片包括第一基板、位于所述第一基板上的源极层、位于所述源极层上的层叠结构以及穿过所述层叠结构并且联接到所述源极层的沟道层；
将所述单元芯片翻转；
通过从所述单元芯片去除所述第一基板来暴露所述源极层的后表面；
对所述源极层的所述后表面执行表面处理，以减小所述源极层的电阻；
形成外围电路芯片，该外围电路芯片包括第二基板和位于所述第二基板上的电路；以及
将包括具有减小的电阻的所述源极层的所述单元芯片接合到所述外围电路芯片。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极层包括多晶硅层，并且所述多晶硅层的晶粒尺寸由于所述表面处理而增大。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过用入射在所述源极层上的激光束照射所述源极层，来对所述源极层执行所述表面处理。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述源极层执行所述表面处理的步骤包括：
将掺杂剂注入所述源极层中；以及
对注入了所述掺杂剂的所述源极层执行热处理。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述掺杂剂包含N型杂质或P型杂质。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单元芯片和所述外围电路芯片被接合成使得所述层叠结构位于所述源极层与所述第二基板之间。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单元芯片还包括介于所述第一基板和所述源极层之间的绝缘层。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，暴露所述源极层的所述后表面的步骤包括：
通过去除所述第一基板来暴露所述绝缘层；以及
通过去除所述绝缘层来暴露所述源极层。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过湿蚀刻工艺去除所述绝缘层。


10.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在对所述源极层的所述后表面执行所述表面处理之后，对所述源极层进行图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇河，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR