三维存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供半导体器件；采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；在进行第一热处理后的所述半导体器件上形成沟道孔。本发明专利技术解决了由于半导体器件上的应力不均匀，在半导体器件上形成沟道孔之后，会对沟道孔的侧壁形成损坏，进而影响三维存储器的电性能的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种三维存储器及其制备方法。
技术介绍
反及存储器(NAND)是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，具有功耗低、质量轻等优点，其中，三维(3D)结构的NAND存储器是将存储单元三维地布置在衬底之上而具有集成密度高、存储容量大，从而在电子产品中得到了更广泛的应用。传统的半导体器件在制成三维存储器之前，需要在半导体器件上形成沟道孔，然而由于半导体器件上的应力不均匀，在半导体器件上形成沟道孔之后，会对沟道孔的侧壁形成损坏，进而影响三维存储器的电性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法，以解决由于半导体器件上的应力不均匀，在半导体器件上形成沟道孔之后，会对沟道孔的侧壁形成损坏，进而影响三维存储器的电性能的技术问题。本专利技术提供一种三维存储器的制备方法，包括：提供半导体器件；采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体器件；/n采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；/n在进行第一热处理后的所述半导体器件上形成沟道孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体器件；
采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；
在进行第一热处理后的所述半导体器件上形成沟道孔。


2.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理之前，所述制备方法还包括：
采用第二温度对所述半导体器件进行第二热处理，以使所述半导体器件上的氢键断裂，其中，所述半导体器件进行第二热处理的时间为第二时间。


3.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，对所述半导体器件进行第一热处理的次数为多次。


4.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一温度小于所述第二温度，所述第一时间大于所述第二时间。


5.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一温度为900℃-950℃，所述第一时间为60分钟-220分钟。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙璐，杨永刚，刘修忠，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42