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本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供半导体器件；采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；在进行第一热处理后的所述半导体...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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