高压ESD结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高压ESD结构，是平面版图呈圆角矩形的MOS管结构，其漏区位于圆角矩形的中心区域；在俯视平面上将所述的圆角矩形划分为顶部圆角以及底部圆角；在顶部圆角的弧形区域，具有重掺杂N型区及重掺杂P型区，互相平行且抵靠接触；将漏区划分为顶部漏区及底部漏区，顶部漏区中包含有接触区，有源区的边界在接触区之外，与接触区间隔一段距离；底部漏区包含有重掺杂N型注入区，所述重掺杂N型注入区的宽度小于有源区；处于最底端的漏区中不具有接触孔，靠近中心区域的漏区中具有两列接触孔；在底部圆角区域，其重掺杂N型区与重掺杂P型区抵靠接触，且重掺杂N型区与有源区边界重叠。本发明专利技术器件结构能提高ESD能力。

【技术实现步骤摘要】
高压ESD结构
本专利技术涉及半导体器件设计与制造领域，特别是指一种高压ESD结构。
技术介绍
静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、电器间感应等。静电的特点是长时间积聚、高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。随着半导体集成电路的制造工艺的特征尺寸越来越小，芯片单元的尺寸也越来越小，芯片的抗静电能力越来越变得重要。静电放电对IC芯片破坏性的影响更加显著。静电往往会导致半导体组件以及计算机系统等形成一种永久性毁坏，因而影响集成电路的电路功能，而使电子产品工作不正常，所以必须设计一些保护措施或者功能来保护芯片不受静电放电现象的破坏。芯片上的ESD保护器件的设计需要考虑两个方面的问题：一是ESD保护器件要能够泄放大电流；二是ESD保护器件要能在芯片受到ESD冲击时将芯片引脚端电压箝制在安全的低电压水平。一种如图1所示的小尺寸的高压方形ESD结构其上下长度达到320微米，是一种传统的ESD器件，版图结构大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压ESD结构，其特征在于：所述高压ESD结构为平面版图呈圆角矩形的MOS管结构，其中MOS管的漏区位于圆角矩形的中心区域，多晶硅栅极环绕围成圆角矩形的图形；所述高压ESD结构为左右对称结构；/n在俯视平面上，将所述的圆角矩形划分为顶部圆角以及底部圆角；在顶部圆角的弧形区域，具有都成弧形的重掺杂N型区及重掺杂P型区，互相平行且抵靠接触；所述弧形的重掺杂P型区位于外侧，且其具有靠外侧的第一弧形长边和靠内侧的第二弧形长边；所述第二弧形长边与重掺杂N型区接触；所述重掺杂的P型区的内侧还具有同样呈弧形的多晶硅层，所述重掺杂P型区的第二弧形长边在垂直投影方向上向内侧延伸且超过多晶硅层的第一弧形长...

【技术特征摘要】
1.一种高压ESD结构，其特征在于：所述高压ESD结构为平面版图呈圆角矩形的MOS管结构，其中MOS管的漏区位于圆角矩形的中心区域，多晶硅栅极环绕围成圆角矩形的图形；所述高压ESD结构为左右对称结构；
在俯视平面上，将所述的圆角矩形划分为顶部圆角以及底部圆角；在顶部圆角的弧形区域，具有都成弧形的重掺杂N型区及重掺杂P型区，互相平行且抵靠接触；所述弧形的重掺杂P型区位于外侧，且其具有靠外侧的第一弧形长边和靠内侧的第二弧形长边；所述第二弧形长边与重掺杂N型区接触；所述重掺杂的P型区的内侧还具有同样呈弧形的多晶硅层，所述重掺杂P型区的第二弧形长边在垂直投影方向上向内侧延伸且超过多晶硅层的第一弧形长边；
在位于圆角矩形的中心区域的漏区中，划分为顶部漏区及底部漏区，在所述顶部漏区的区域，其有源区中包含有接触区，有源区的边界在接触区之外，与接触区间隔一段距离；
所述的接触区，分为左右两组、每组有多个的接触孔，所述的左右两组接触孔接触孔与有源区边界具有一段距离；
所述的底部漏区，包含有重掺杂N型注入区，所述重掺杂N型注入区的边界小于有源区；
所述的底部漏区中，处于最底端的漏区中不具有接触孔，靠近中心区域的漏区中具有两列接触孔；
在底...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦敏侠，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31