【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别地涉及电力用半导体装置。
技术介绍
已知如下技术，即，就例如具有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)等开关元件的电力用半导体装置而言，通过抑制在所连接的负载短路时流过集电极-发射极间的电流，从而保护开关元件不受过电流损害。例如在下述专利文献1中，公开了具有将通过在IGBT的发射极配线流过电流而产生的电压降反馈至该IGBT的栅极的“负反馈电路”的半导体装置。就专利文献1的半导体装置而言，通过使对IGBT进行控制的驱动电路的基准电位配线与发射极配线连接而构成负反馈电路。另外，就专利文献1的半导体装置而言，在发射极配线的多个部位设置有用于对驱动电路的基准电位配线进行连接的端子，通过选择对基准电位配线进行连接的端子而进行负反馈量的调整。另一方面，就传递模塑型半导体装置(功率模块)而言，如果为了构成负反馈电路而使驱动电路的基准电位配线的导线与续流二极管(FWD)连接，则存在基准电位配线与使IGBT的主电流流过的导线发生干涉的风险。为了防止上述...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n开关元件；以及/n续流二极管，其与所述开关元件并联连接，/n所述开关元件在其表面之上具有与所述开关元件的主电极及控制电极绝缘的第1导电性图案，/n所述续流二极管在其表面之上具有与所述续流二极管的主电极绝缘的第2导电性图案。/n
【技术特征摘要】
20190521 JP 2019-0950611.一种半导体装置，其具有：
开关元件；以及
续流二极管，其与所述开关元件并联连接，
所述开关元件在其表面之上具有与所述开关元件的主电极及控制电极绝缘的第1导电性图案，
所述续流二极管在其表面之上具有与所述续流二极管的主电极绝缘的第2导电性图案。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有：
第1导线，其将所述开关元件的所述主电极与所述续流二极管的所述主电极连接；
第2导线，其将所述续流二极管的所述主电极与外部连接端子连接；以及
基准电位配线，其用于向驱动电路供给基准电位，该驱动电路向所述开关元件的所述控制电极输入控制电压。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述基准电位配线通过所述第1导电性图案而与所述续流二极管的所述主电极连接。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述基准电位配线通过串联连接的所述第1导电性图案及所述第2导电性图案而与所述外部连接端子连接。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
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