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提供能够抑制封装件的大型化，并且能够调整负反馈量的半导体装置。作为半导体装置的功率模块具有开关元件即IGBT(10)和续流二极管(FWD)(20)，该续流二极管与开关元件并联连接。IGBT(10)在其表面之上具有该IGBT(10)的发射极电...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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