【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用该申请要求于2019年5月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0059390的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本公开涉及一种半导体装置，并且具体地说，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
对高可靠性、高性能和/或多功能半导体装置的需求越来越大。半导体装置的结构复杂度和/或集成密度已经提高，以满足这些技术要求。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了一种具有高集成密度和提高的可靠性的半导体装置。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案彼此连接。栅电极布置在有源图案的底表面上，并且布置在第一源极/漏极图案之间以及第二源极/漏极图案之间。上互连线布置在与有源图案的底表面相对的有源图案的顶表面上，并且连接至第一
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n有源图案，其包括沟道区，所述沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间，所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案彼此连接；/n栅电极，其在所述有源图案的底表面上，并且布置在所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案之间；以及/n上互连线，其布置在与所述有源图案的底表面相对的所述有源图案的顶表面上，并且连接至所述第一源极/漏极图案。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190521 KR 10-2019-00593901.一种半导体装置，包括：
有源图案，其包括沟道区，所述沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间，所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案彼此连接；
栅电极，其在所述有源图案的底表面上，并且布置在所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案之间；以及
上互连线，其布置在与所述有源图案的底表面相对的所述有源图案的顶表面上，并且连接至所述第一源极/漏极图案。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案在高于所述有源图案的顶表面的水平高度的水平高度处在所述第一方向上具有最大宽度。
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
上接触件，其耦接至所述第一源极/漏极图案的顶表面；以及
下接触件，其耦接至所述第二源极/漏极图案的底表面。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，邻近于所述第一源极/漏极图案的顶表面的上接触件的底表面在所述第一方向上的宽度大于邻近于所述第二源极/漏极图案的底表面的下接触件的顶表面在所述第一方向上的宽度。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一源极/漏极图案包括：
第一部分，其邻近于所述有源图案的侧表面；以及
第二部分，其从所述第一部分延伸，并且突出至所述有源图案的顶表面上方，
其中，所述第二部分在所述第一方向上的宽度大于所述第一部分在所述第一方向上的宽度。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括：
所述栅电极侧壁上的栅极间隔件，
其中，当在平面图中看时，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案与所述栅极间隔件重叠。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述上互连线包括电力轨。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述上互连线在所述第一方向上延伸。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，当在平面图中看时，所述上互连线与所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案重叠。
10.根据权利要求1所述的装置，还包括：
半导体衬底，其设置在所述栅电极下方；
所述栅电极与所述半导体衬底之间的层间绝缘层；以及
下互连线，其布置在所述层间绝缘层中，并且连接至所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案中的至少一个。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述有源图案包括彼此竖直间隔开的多个堆叠的半导体图案。
12.一种半导体装置，包括：
在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；
技术研发人员：金成玟，河大元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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