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一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案彼此连接以及将所述第二源极...
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