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本发明公开了一种高压ESD结构，是平面版图呈圆角矩形的MOS管结构，其漏区位于圆角矩形的中心区域；在俯视平面上将所述的圆角矩形划分为顶部圆角以及底部圆角；在顶部圆角的弧形区域，具有重掺杂N型区及重掺杂P型区，互相平行且抵靠接触；将漏区划分为...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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