电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，以包覆层包覆一具有导电穿孔的中介板与多个导电柱，且将电子元件设于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔，经由该导电柱作为电子元件的部分电性功能的电性传输路径，减少该导电穿孔的制作数量，进而减少制程时间及化学药剂的成本，且能制作小尺寸的中介板以取代现有大面积硅中介板，进而提高良率。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
本专利技术有关一种封装结构，尤指一种电子封装件及其承载基板与制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，包含有例如芯片尺寸构装(ChipScalePackage，简称CSP)、芯片直接贴附封装(DirectChipAttached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi-ChipModule，简称MCM)等覆晶型态的封装模组，或将芯片立体堆叠化整合为三维积体电路(3DIC)芯片堆叠技术等。图1为现有3D芯片堆叠的封装结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装结构1包括一硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)1a，其具有一硅板体10及多个形成于其中的导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)101，且该硅板体10的表面上形成有一电性连接该导电硅穿孔101的线路重布结构(Redistributionlayer，简称RDL)。具体地，该线路重布结构包含一介电层11及一形成于该介电层11上的线路层12，且该线路层12电性连接该导电硅穿孔101，并形成一绝缘保护层13于该介电层11与该线路层12上，且该绝缘保护层13外露部分该线路层11，以结合多个如焊锡凸块的第一导电元件14。此外，可先形成另一绝缘保护层15于该硅板体10上，且该绝缘保护层15外露该些导电硅穿孔101的端面，以结合多个第二导电元件16于该些导电硅穿孔101的端面上，且该第二导电元件16电性连接该导电硅穿孔101，其中，该第二导电元件16含有焊锡材料或铜凸块，且可选择性于该导电硅穿孔101的端面上形成供接置该第二导电元件16的凸块底下金属层(UnderBumpMetallurgy，简称UBM)160。另外，该封装结构1还包括一封装基板19，供该硅中介板1a经由该些第二导电元件16设于其上，使该封装基板19电性连接该些导电硅穿孔101，且以底胶191包覆该些第二导电元件16。另外，该封装结构1还包括多个半导体芯片17，其设于该些第一导电元件14上，使该半导体芯片17电性连接该线路层12，其中，该半导体芯片17以覆晶方式结合该些第一导电元件14，且以底胶171包覆该些第一导电元件14，并形成封装材18于该封装基板19上，以令该封装材18包覆该半导体芯片17与该硅中介板1a。于后续应用中，该封装结构1可形成多个焊球192于该封装基板19的下侧，以接置于一如电路板的电子装置(图略)上。然而，现今终端产品的电性功能越加发达，故接置于该硅中介板1a上的电子元件半导体芯片17越来越多，使该硅中介板1a的结合面积亦会越来越大，因而该导电硅穿孔101的布设数量亦会增多，导致于制程上会产生以下缺陷，造成该封装结构1的良率下降。第一点：该硅中介板1a的体积越来越大，则该底胶171及该封装材18等胶材与该封装基板19、硅中介板1a及半导体芯片17之间的热膨胀系数(CTE)不匹配(mismatch)，因而容易发生热应力不均匀的情况，致使热循环(thermalcycle)时，该硅中介板1a产生极大的翘曲(warpage)，以致于发生植球状况不佳(即该第二导电元件16掉落而电性断路)、第二导电元件16不沾锡(non-wetting)或该封装基板19分裂等可靠度问题，进而导致应用该封装结构1的终端电子产品(如电脑、手机等)产生可靠度问题。第二点：该半导体芯片17的电性功能一定要通过该硅中介板1a才能连接到该封装基板19，且该半导体芯片17的信号(signal)电性功能的传输速度为高速需求，以提升终端产品效能，但该半导体芯片17的部分电性功能(如电源或接地)的传输速度需求不高，故若该电源或接地的电性功能仍通过该导电硅穿孔101进行传输，将导致制作成本的浪费。例如，需制作该电源或接地的电性功能所用的导电硅穿孔101，因而需增加该硅板体10的面积，且于制作该导电硅穿孔101，因需具备一定深宽比的控制(即该导电硅穿孔101的深宽比)，才能制作出适用的硅中介板1a，因而往往需耗费大量制程时间及化学药剂的成本，进而提高制程难度及制作成本。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，能避免发生植球状况不佳等可靠度问题。本专利技术的电子封装件，包括：一包覆层；至少一中介板，其嵌埋于该包覆层中且具有多个导电穿孔；多个导电柱，其形成于该包覆层中；以及电子元件，其设于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔。前述的电子封装件中，该包覆层的表面齐平该中介板的表面。前述的电子封装件中，该包覆层的表面齐平该导电柱的端面。前述的电子封装件中，该导电穿孔外露于该包覆层的表面。前述的电子封装件中，该导电柱的端面外露于该包覆层的表面。前述的电子封装件中，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。前述的电子封装件中，该电子元件经由线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔。前述的电子封装件中，还包括形成于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔的线路结构。进一步，还包括形成于该线路结构上的多个导电元件，该多个导电元件经由该线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔。前述的电子封装件中，还包括形成于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔的多个导电元件。本专利技术亦提供一种电子封装件的制法，包括：提供一包覆层，其嵌埋有至少一中介板与多个导电柱，其中，该中介板具有多个导电穿孔；以及设置电子元件于该包覆层的其中一侧上，且令该电子元件电性连接该导电柱与该导电穿孔。前述的制法中，还包括：提供第一线路结构；将该导电柱与该中介板结合于该第一线路结构上，以令该第一线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔；以及将该包覆层结合于该第一线路结构上，以令该包覆层包覆该中介板与该导电柱。前述的制法中，还包括于该包覆层上形成第二线路结构，以令该电子元件设于该第二线路结构上，使该电子元件经由该第二线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔。前述的制法中，还包括于该包覆层的另一侧上形成多个导电元件，且令该多个导电元件电性连接该导电柱与该导电穿孔。本专利技术又提供一种电子封装件的制法，包括：提供一电子元件；将多个导电柱与至少一中介板结合于该电子元件上，其中，该中介板具有多个导电穿孔，且令该电子元件电性连接该导电柱与该导电穿孔；以及经由包覆层包覆该中介板与该导电柱。前述的制法中，还包括形成第一线路结构于该包覆层上，以令该第一线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔。前述的制法中，还包括：形成第二线路结构于该电子元件上；将该导电柱与该中介板结合于该第二线路结构上，且令该第二线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔；以及将该包覆层结合于该第二线路结构上，以令该包覆层包覆该中介板与该导电柱。前述的制法中，还包括于该包覆层上形成多个导电元件，且令该多个导电元件电性连接该导电柱与该导电穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：/n一包覆层；/n至少一中介板，其嵌埋于该包覆层中且具有多个导电穿孔；/n多个导电柱，其形成于该包覆层中；以及/n至少一电子元件，其设于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔。/n

【技术特征摘要】
20190514 TW 1081165771.一种电子封装件，其特征在于，包括：
一包覆层；
至少一中介板，其嵌埋于该包覆层中且具有多个导电穿孔；
多个导电柱，其形成于该包覆层中；以及
至少一电子元件，其设于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔。


2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该包覆层的表面齐平该中介板的表面。


3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该包覆层的表面齐平该导电柱的端面。


4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该导电穿孔外露于该包覆层的表面。


5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该导电柱的端面外露于该包覆层的表面。


6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。


7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子元件经由线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔。


8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层上且电性连接该导电柱与该导电穿孔的线路结构。


9.根据权利要求8所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该线路结构上的多个导电元件，且该多个导电元件经由该线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔。


10.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层上的多个导电元件，且该多个导电元件电性连接该导电柱与该导电穿孔。


11.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：
提供一包覆层，其嵌埋有至少一中介板与多个导电柱，且该中介板具有多个导电穿孔；以及
设置电子元件于该包覆层的其中一侧上，且令该电子元件电性连接该导电柱与该导电穿孔。


12.根据权利要求11所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括：
提供第一线路结构；
将该导电柱与该中介板结合于该第一线路结构上，以令该第一线路结构电性连接该导电柱与该导电穿孔；以及
将该包覆层结合于该第一线路结构上，以令该包覆层包覆该中介板与该导电柱。


13.根据权利要求11或12中任一项所述的电子封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏品境，张正楷，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71