基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，在采用感应耦合方式的基板处理装置中也能够对基板面内均匀地进行处理。该基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给部，其向所述处理室供给气体；高频电力供给部，其供给预定频率的高频电力；等离子体生成部，其具有在所述处理室的侧方卷绕的谐振线圈，并在向所述谐振线圈供给所述高频电力时在所述处理室生成等离子体；以及基板载置部，其在所述处理室内以所述基板的水平方向的中心位置不与所述谐振线圈的水平方向的中心位置重叠的方式载置所述基板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质
本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。
技术介绍
作为对半导体基板进行处理的方法，有一种向基板供给等离子体状态的气体进行处理的方法。作为生成等离子体的方法，有使用平行平板电极的电容耦合方式、使用谐振线圈的感应耦合方式。谐振线圈在等离子体生成室的周围配置，通过向谐振线圈供电，从而在等离子体生成室中生成等离子体。例如在专利文献1中公开了采用感应耦合方式的基板处理装置。专利文献1：日本特开2003－37101号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题就采用感应耦合方式的普通的基板处理装置而言，可能会由于感应线圈与等离子体生成室的位置关系而导致在等离子体生成室中等离子体密度不均匀。因此导致基板面内的处理不均匀。本公开的目的是解决上述课题并提供一种即使在采用感应耦合方式的基板处理装置中也能够对基板面内均匀地进行处理的技术。用于解决课题的方案提供一种技术，其具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给部，其向所述处理室供给气体；高频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：/n处理室，其对基板进行处理；/n气体供给部，其向所述处理室供给气体；/n高频电力供给部，其供给预定频率的高频电力；/n等离子体生成部，其具有在所述处理室的侧方卷绕的谐振线圈，并在向所述谐振线圈供给所述高频电力时在所述处理室生成等离子体；以及/n基板载置部，其在所述处理室内以所述基板的水平方向的中心位置不与所述谐振线圈的水平方向的中心位置重叠的方式载置所述基板。/n

【技术特征摘要】
20190517 JP 2019-0936391.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行处理；
气体供给部，其向所述处理室供给气体；
高频电力供给部，其供给预定频率的高频电力；
等离子体生成部，其具有在所述处理室的侧方卷绕的谐振线圈，并在向所述谐振线圈供给所述高频电力时在所述处理室生成等离子体；以及
基板载置部，其在所述处理室内以所述基板的水平方向的中心位置不与所述谐振线圈的水平方向的中心位置重叠的方式载置所述基板。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述等离子体生成部具有第一谐振线圈和第二谐振线圈，
以所述第一谐振线圈的水平方向的中心位置不与所述第二谐振线圈的水平方向的中心位置重叠方式配置所述第一谐振线圈和所述第二谐振线圈。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述等离子体生成部生成等离子体的期间，所述基板在所述处理室内进行公转。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述等离子体生成部生成等离子体的期间，所述基板在所述处理室内进行自转。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一谐振线圈和所述第二谐振线圈的至少一端设置可动接头，以使所述基板的外周部的特定点与所述可动接头的相对位置可变的方式进行所述自转。


6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一谐振线圈和所述第二谐振线圈的至少一端设置可动接头，以使所述基板的外周部的特定点与所述可动接头的相对位置可变的方式进行所述公转。


7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述等离子体生成部生成等离子体的期间，所述基板在所述处理室内进行自转。


8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一谐振线圈和所述第二谐振线圈的至少一端设置可动接头，以使所述基板的外周部的特定点与所述可动接头的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉野晃生，八幡橘，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP