基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。基板处理装置(1)是利用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。基板处理装置(1)具备腔室(10)、加热载置部(30)、气体导入部(40)、排气部(50)、以及第一加热部(60)。加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置基板(W1)。气体导入部(40)具有在腔室(10)内设于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)，从导入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。排气部(50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而排出腔室(10)内的气体。第一加热部(60)安装于腔室(10)。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本申请涉及一种基板处理装置。
技术介绍
一直以来，作为对基板进行蚀刻的蚀刻装置，提出了一种向基板供给药液的装置。若蚀刻装置向基板供给药液，则药液能够作用于基板来对蚀刻对象膜进行蚀刻。然而，若基板的图案微细，则药液无法充分地进入到其狭小区域。其结果，有蚀刻变得不充分的问题。因此，提出了一种不使用药液的气相蚀刻装置(例如专利文献1)。该气相蚀刻装置使用处理气体来对基板进行蚀刻。气相蚀刻装置包括腔室和气体输送装置。在腔室内载置有成为蚀刻的对象的基板。气体输送装置从腔室内的上侧向基板供给处理气体。处理气体作用于基板，来对基板进行蚀刻。由于处理气体是气体，所以能够进入到基板的狭小区域。并且，在该气相蚀刻装置中，由于未利用等离子体，所以能够减少制造成本。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-45125号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在专利文献1的气相蚀刻装置中，考虑加热基板。由此，能够促进利用处理气体(以下称作蚀刻气体)进行的基板的蚀刻。然而，通过加热基板，基板的温度比腔室的内周面的温度高。由于气体因对流而容易向温度较低的一方流动，所以基板的周缘部附近的气体容易向腔室的内周面流动。由此，基板的周缘部处的蚀刻量减少。也就是说，基板的面内蚀刻的均匀性降低。因此，本申请的目的在于提供一种能够提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。用于解决课题的方案基板处理装置的第一方案是一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，具备：腔室；加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及第一加热部，其安装于上述腔室。基板处理装置的第二方案在第一方案的基板处理装置的基础上，上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。基板处理装置的第三方案在第二方案的基板处理装置的基础上，上述第一加热部以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30度以上的值的方式加热上述腔室。基板处理装置的第四方案在第一至第三任一个方案的基板处理装置的基础上，上述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下，上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。基板处理装置的第五方案在第一至第四任一个方案的基板处理装置的基础上，上述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。基板处理装置的第六方案在第一至第五任一个方案的基板处理装置的基础上，还具备：外腔室，其包围上述腔室；以及第二加热部，其安装于上述外腔室，上述腔室的上述第一排气口使上述腔室的内部空间、以及上述腔室与上述外腔室之间的外侧空间相互相连，在上述外腔室形成有第二排气口，上述排气部经由上述第二排气口向外部排出上述外腔室内的气体。基板处理装置的第七方案在第六方案的基板处理装置的基础上，上述第二加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至上述腔室的内周面的温度以上。基板处理装置的第八方案在第六或第七方案的基板处理装置的基础上，上述第二加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至100度以上。基板处理装置的第九方案在第六至第八任一个方案的基板处理装置的基础上，具备：第一压力传感器，其设于上述腔室内；第二压力传感器，其设于上述腔室与上述外腔室之间；以及控制部，其基于上述第一压力传感器及上述第二压力传感器的测定值，来控制上述排气部的排气流量。基板处理装置的第十方案在第一至第九任一个方案的基板处理装置的基础上，还具备整流部，该整流部设于上述导入口与上述基板之间，对从上述导入口导入的上述蚀刻气体进行整流。基板处理装置的第十一方案在第一至第十任一个方案的基板处理装置的基础上，上述第一排气口设有多个，该多个第一排气口在上述基板的周向上大致等间隔地形成。专利技术的效果根据基板处理装置的第一方案，由于第一加热部能够加热腔室，所以能够提高腔室的内周面的温度。因而，能够抑制蚀刻气体因对流而朝向腔室的内周面流动的情况。由此，能够更均匀地向基板供给蚀刻气体，进而能够提高基板的面内蚀刻的均匀性。根据基板处理装置的第二方案，能够进一步抑制蚀刻气体因对流而朝向腔室的内周面流动的情况。根据基板处理装置的第三及第四方案，由于蚀刻气体容易朝向基板流动，所以能够增加作用于基板的蚀刻气体。因而，能够提高吞吐量。根据基板处理装置的第五方案，能够高效地加热内腔室中与基板在水平方向上对置的区域。因而，能够高效地使对流所形成的蚀刻气体向侧壁22的内周面的流动向基板W1侧变化。根据基板处理装置的第六方案，能够减少蚀刻气体在外腔室的内周面液化的可能性。根据基板处理装置的第七方案，能够进一步抑制蚀刻气体的液化。根据基板处理装置的第八方案，能够更可靠地抑制蚀刻气体的液化。根据基板处理装置的第九方案，能够高精度地控制腔室内的压力以及外腔室内的压力。根据基板处理装置的第十方案，由于对蚀刻气体进行整流，所以能够进一步提高基板的面内蚀刻的均匀性。根据基板处理装置的第十一方案，能够使腔室内的气体的流动更加均匀。通过以下示出的详细说明和附图，本申请说明书所公开的技术所相关的目的、特征、方面以及优点变得更加明白。附图说明图1是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。图2是简要地示出内腔室的结构的一例的图。图3是简要地示出整流部的结构的一例的图。图4是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。图5是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。图6是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。图中：1、1A～1C—基板处理装置，10—腔室(内腔室)，12a—第一排气口(内排气口)，20—外腔室，23a—第二排气口(外排气口)，30—加热载置部，40—气体导入部，41a—导入口(气体导入口)，50—排气部，60—第一加热部(加热部)，61—第二加热部(加热部)，80—整流部，91—第一压力传感器(压力传感器)，92—第二压力传感器(压力传感器)。具体实施方式以下，参照附图来说明实施方式。附图中，对具有相同结构及功能的部分标注相同符号，并在下述说明中省略重复说明。此外，以下的实施方式仅是一例，并非对技术范围加以限定。并且，附图中，为了容易理解，有时夸张或简化地示出各部分的尺寸及个数。第一实施方式〈基板处理装置的结构〉图1是简要地示出基板处理装置1的结构的一例的图。该基板处理装置1是利用气相对基板W1的表面进行蚀刻处理的气相蚀刻装置。由于基板处理装置1不使用等离子体就对基板W1进行蚀刻处理，所以能够避免由等离子体导致的基板W1的损伤。并且，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，其特征在于，具备：/n腔室；/n加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；/n气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；/n排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及/n第一加热部，其安装于上述腔室。/n

【技术特征摘要】
20190515 JP 2019-0918651.一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，其特征在于，具备：
腔室；
加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；
气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；
排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及
第一加热部，其安装于上述腔室。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一加热部以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30度以上的值的方式加热上述腔室。


4.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，
上述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下，
上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。


5.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。


6.根据权利要求1至3任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：西原一树，鳅场真树，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP