基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。基板处理装置(1)是利用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。基板处理装置(1)具备腔室(10)、加热载置部(30)、气体导入部(40)、排气部(50)、以及第一加热部(60)。加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置基板(W1)。气体导入部(40)具有在腔室(10)内设于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)，从导入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。排气部(50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而排出腔室(10)内的气体。第一加热部(60)安装于腔室(10)。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本申请涉及一种基板处理装置。
技术介绍
一直以来，作为对基板进行蚀刻的蚀刻装置，提出了一种向基板供给药液的装置。若蚀刻装置向基板供给药液，则药液能够作用于基板来对蚀刻对象膜进行蚀刻。然而，若基板的图案微细，则药液无法充分地进入到其狭小区域。其结果，有蚀刻变得不充分的问题。因此，提出了一种不使用药液的气相蚀刻装置(例如专利文献1)。该气相蚀刻装置使用处理气体来对基板进行蚀刻。气相蚀刻装置包括腔室和气体输送装置。在腔室内载置有成为蚀刻的对象的基板。气体输送装置从腔室内的上侧向基板供给处理气体。处理气体作用于基板，来对基板进行蚀刻。由于处理气体是气体，所以能够进入到基板的狭小区域。并且，在该气相蚀刻装置中，由于未利用等离子体，所以能够减少制造成本。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-45125号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在专利文献1的气相蚀刻装置中，考虑加热基板。由此，能够促进利用处理气体(以下称作蚀刻气体)进行的基板的蚀刻。...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，其特征在于，具备：/n腔室；/n加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；/n气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；/n排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及/n第一加热部，其安装于上述腔室。/n

【技术特征摘要】
20190515 JP 2019-0918651.一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，其特征在于，具备：
腔室；
加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；
气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；
排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及
第一加热部，其安装于上述腔室。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一加热部以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30度以上的值的方式加热上述腔室。


4.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，
上述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下，
上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。


5.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。


6.根据权利要求1至3任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：西原一树，鳅场真树，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP