基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置。提供了一种用于处理基板的方法。所述方法包括，在所述基板旋转的情况下，将第一处理液供应至所述基板的处理目标表面；和随后，在处于蒸汽状态的蒸发抑制剂存在于供应至所述基板的所述第一处理液的周围的情况下，将具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力的第二处理液供应至所述基板，使得所述基板上的所述第一处理液被所述第二处理液替代。因此，可以在施用到基板的清洁液周围形成蒸汽气氛。因此，可以在清洁液被有机溶剂替代的过程中，防止液膜破坏现象。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置相关申请的交叉引用本申请请求于2019年5月14日递交韩国知识产权局的第10-2019-0056565号韩国专利申请的在美国法典35U.S.C.§119下的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本文中描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置，尤其涉及一种用于将液体供应至基板、以使用该液体处理基板的基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体设备，执行诸如摄影(photographing)、沉积、灰化、蚀刻、和离子注入的各种工艺。此外，在执行这些工艺前后，执行清洁工艺以清洁残留在基板上的颗粒。清洁工艺包括：将化学品(chemical)供应至支承在旋转头上的旋转的基板；将诸如去离子水(deionizedwater,DIW)的清洁液供应至基板以从基板去除化学品；将具有比清洁液的表面张力低的表面张力的诸如异丙醇(isoproplyalcohol,IPA)液体的有机溶剂供应至基板、以用该有机溶剂替代基板上的清洁液；和从基板去除替代的有机溶剂。然而，当大量的IPA在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n壳体，其具有限定在所述壳体中的处理空间；/n支承单元，其用于支承所述处理空间中的所述基板；/n第一处理液供应单元，其用于将第一处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的处理目标表面；/n第二处理液供应单元，其用于将第二处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的所述处理目标表面，所述第二处理液具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力；和/n蒸汽生成调节单元，其用于将处于蒸汽状态的蒸发抑制剂喷射至所述处理空间中。/n

【技术特征摘要】
20190514 KR 10-2019-00565651.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，其具有限定在所述壳体中的处理空间；
支承单元，其用于支承所述处理空间中的所述基板；
第一处理液供应单元，其用于将第一处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的处理目标表面；
第二处理液供应单元，其用于将第二处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的所述处理目标表面，所述第二处理液具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力；和
蒸汽生成调节单元，其用于将处于蒸汽状态的蒸发抑制剂喷射至所述处理空间中。


2.根据权利要求1所述的装置，其还包括：控制器，其配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，
其中，所述控制器配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，使得：
所述第二处理液供应至其上已经存在有所述第一处理液的所述处理目标表面，使得所述处理目标表面上的所述第一处理液被所述第二处理液替代；并且
在排放所述第二处理液之前，将处于所述蒸汽状态的所述蒸发抑制剂供应至所述处理空间。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一处理液为蒸馏水(DIW)，所述第二处理液为有机溶剂，且所述蒸发抑制剂为水。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蒸发抑制剂的表面张力大于所述第二处理液的表面张力。


5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蒸发抑制剂的表面张力等于或大于所述第一处理液的表面张力。


6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蒸发抑制剂与所述第一处理液为相同类型。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，其中，在所述处理空间中的所述蒸发抑制剂的相对湿度为100％...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁承太，郑富荣，朴贵秀，李在洪，金昊永，郑允硕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR