基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置。提供了一种用于处理基板的方法。所述方法包括，在所述基板旋转的情况下，将第一处理液供应至所述基板的处理目标表面；和随后，在处于蒸汽状态的蒸发抑制剂存在于供应至所述基板的所述第一处理液的周围的情况下，将具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力的第二处理液供应至所述基板，使得所述基板上的所述第一处理液被所述第二处理液替代。因此，可以在施用到基板的清洁液周围形成蒸汽气氛。因此，可以在清洁液被有机溶剂替代的过程中，防止液膜破坏现象。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置相关申请的交叉引用本申请请求于2019年5月14日递交韩国知识产权局的第10-2019-0056565号韩国专利申请的在美国法典35U.S.C.§119下的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本文中描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置，尤其涉及一种用于将液体供应至基板、以使用该液体处理基板的基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体设备，执行诸如摄影(photographing)、沉积、灰化、蚀刻、和离子注入的各种工艺。此外，在执行这些工艺前后，执行清洁工艺以清洁残留在基板上的颗粒。清洁工艺包括：将化学品(chemical)供应至支承在旋转头上的旋转的基板；将诸如去离子水(deionizedwater,DIW)的清洁液供应至基板以从基板去除化学品；将具有比清洁液的表面张力低的表面张力的诸如异丙醇(isoproplyalcohol,IPA)液体的有机溶剂供应至基板、以用该有机溶剂替代基板上的清洁液；和从基板去除替代的有机溶剂。然而，当大量的IPA在用IPA替代去离子水的情况下蒸发时，由于有机溶剂和清洁液之间的表面张力的差异，形成在基板上的液膜被破坏，如图17所示。当液膜被破坏时，在尚未用有机溶剂替代图案内部的情况下，可能发生干燥，使得发生诸如倾斜和颗粒污染的缺陷。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供了一种可以改进清洁效率的基板处理方法和装置。本专利技术构思的实施方式提供了一种基板处理方法和装置，其防止在清洁液被有机溶剂替代的过程中液膜被破坏。本专利技术构思的目的不限于此。通过以下描述，本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他目的。根据示例性实施方式，用于处理基板的装置包括：壳体，其具有限定在所述壳体中的处理空间；支承单元，其用于支承所述处理空间中的所述基板；第一处理液供应单元，其用于将第一处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的处理目标表面；第二处理液供应单元，其用于将第二处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的所述处理目标表面，所述第二处理液具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力；和蒸汽生成调节单元，其用于将处于蒸汽状态的蒸发抑制剂喷射至所述处理空间中。所述装置还可以包括：控制器，其配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，其中，所述控制器可以配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，使得：所述第二处理液供应至其上已经存在有所述第一处理液的所述处理目标表面，使得所述处理目标表面上的所述第一处理液被所述第二处理液替代；并使得在排放所述第二处理液之前，将处于蒸汽状态的所述蒸发抑制剂供应至所述处理空间。所述第一处理液可以为蒸馏水(DIW)，所述第二处理液可以为有机溶剂，且所述蒸发抑制剂可以为水。所述蒸发抑制剂的表面张力可以大于所述第二处理液的表面张力。所述蒸发抑制剂的表面张力可以等于或大于所述第一处理液的表面张力。所述蒸发抑制剂可以与所述第一处理液为相同类型。在所述处理空间中的所述蒸发抑制剂的相对湿度为100％的情况下，可以将所述第二处理液供应至所述处理目标表面。所述装置还可以包括相对湿度测量设备，所述相对湿度测量设备用于测量所述壳体中的所述处理空间的相对湿度。根据示例性实施方式，用于处理基板的方法包括，在所述基板旋转的情况下，将第一处理液供应至所述基板的处理目标表面；和随后，在处于蒸汽状态的蒸发抑制剂存在于供应至所述基板的所述第一处理液的周围的情况下，将具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力的第二处理液供应至所述基板，使得所述基板上的所述第一处理液被所述第二处理液替代。在供应所述第二处理液的情况下，所述第一处理液周围的湿度可以维持在100％。所述蒸发抑制剂的表面张力可以大于所述第二处理液的表面张力。所述蒸发抑制剂的表面张力可以等于或大于所述第一处理液的表面张力。所述蒸发抑制剂可以与所述第一处理液为相同类型。所述第一处理液可以为DIW，所述第二处理液可以为有机溶剂，且所述蒸发抑制剂可以为水。可以在供应所述第一处理液之前、或供应所述第一处理液的同时、或在供应所述第一处理液的情况下，供应所述蒸发抑制剂。可以在供应所述第二处理液的情况下，或直到所述第二处理液的供应终止，连续供应所述蒸发抑制剂。可以在所述第二处理液在所述基板上的碰撞点从所述基板的中心区域改变至所述基板的边缘区域的情况下，将所述第二处理液排放至所述基板。附图说明参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：图1是示意性示出了根据本专利技术构思的一个实施方式的基板处理装置的平面图；图2是示意性示出了图1的液体处理腔室的实施方式的视图；图3是示意性示出了根据本专利技术构思的液体处理工艺顺序(processsequence)的图；图4至图11是分别依序示出了根据图3的清洁过程的附图；图12是示意性示出了图11的液体处理腔室的变体的视图；图13至图16是示意性示出了根据本专利技术构思的变体的液体处理工艺顺序的图；图17是示出了发生在常规清洁工艺中清洁液被有机溶剂替代的过程中的液膜破坏现象的视图。具体实施方式以下，将参照附图更加详细地描述本专利技术构思的实施方式。本专利技术构思的实施方式可以以各种形式进行修改，并且本专利技术构思的范围不应该被理解为限于以下实施方式。实施方式配置为更全面地将本专利技术构思传达给本领域的普通技术人员。因此，为了强调更清楚的说明，夸大了附图中各元件的形状。图1是示意性示出了根据本专利技术构思的一个实施方式的基板处理装置的平面图。参照图1，基板处理装置包括索引模块10和处理模块20。根据一个实施方案，索引模块10和处理模块20沿一个方向布置。下文中，索引模块10和处理模块20布置的方向称为第一方向92。当从上方观察时，垂直于第一方向92的方向称为第二方向94。垂直于第一方向92和第二方向94的方向称为第三方向96。索引模块10将基板W从其中接收有基板W的容器80传送至处理模块20，并将在处理模块20中处理过的基板W传送到容器80中。索引模块10的长度方向实施为第二方向94。索引模块10具有装载端口12和索引框架14。装载端口12与索引框架14周围的处理模块20相对。其中含有基板W的容器80放置在装载端口12上。可以设置多个装载端口12。多个装载端口12可沿第二方向94布置。容器80可以实施为密封容器、诸如前表面开放式晶圆盒(frontsurfaceopenpod，FOUP)。容器80可通过操作员或者诸如高架传送、高架传送带、或自动引导车的运输装置而放置在装载端口12上。索引框架14具有索引机械手120。在索引框架14中，可以设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n壳体，其具有限定在所述壳体中的处理空间；/n支承单元，其用于支承所述处理空间中的所述基板；/n第一处理液供应单元，其用于将第一处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的处理目标表面；/n第二处理液供应单元，其用于将第二处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的所述处理目标表面，所述第二处理液具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力；和/n蒸汽生成调节单元，其用于将处于蒸汽状态的蒸发抑制剂喷射至所述处理空间中。/n

【技术特征摘要】
20190514 KR 10-2019-00565651.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，其具有限定在所述壳体中的处理空间；
支承单元，其用于支承所述处理空间中的所述基板；
第一处理液供应单元，其用于将第一处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的处理目标表面；
第二处理液供应单元，其用于将第二处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的所述处理目标表面，所述第二处理液具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力；和
蒸汽生成调节单元，其用于将处于蒸汽状态的蒸发抑制剂喷射至所述处理空间中。


2.根据权利要求1所述的装置，其还包括：控制器，其配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，
其中，所述控制器配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，使得：
所述第二处理液供应至其上已经存在有所述第一处理液的所述处理目标表面，使得所述处理目标表面上的所述第一处理液被所述第二处理液替代；并且
在排放所述第二处理液之前，将处于所述蒸汽状态的所述蒸发抑制剂供应至所述处理空间。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一处理液为蒸馏水(DIW)，所述第二处理液为有机溶剂，且所述蒸发抑制剂为水。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蒸发抑制剂的表面张力大于所述第二处理液的表面张力。


5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蒸发抑制剂的表面张力等于或大于所述第一处理液的表面张力。


6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蒸发抑制剂与所述第一处理液为相同类型。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，其中，在所述处理空间中的所述蒸发抑制剂的相对湿度为100％...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁承太，郑富荣，朴贵秀，李在洪，金昊永，郑允硕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR