【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及晶片级测试的装置，更具体地，涉及使用单测试元件提供绝缘体硅(SOI)结构上形成的各元件的光学、电及光电测试的能力。
技术介绍
在半导体工业中，处理相对大的硅晶片(直径一般约几英寸的数量级)来形成许多相同的集成线路。一旦晶片已被完全处理，其被切割成片以形成单独的集成线路。在大多数情况下，横跨晶片表面形成数以百计相同的线路。如果在切割之前，不测试单独线路的性能，那么“坏”芯片可能被进一步处理和封装，这浪费了宝贵的时间和钱财。晶片级测试在半导体工业中是公知的，且传统上用于测量当仍为晶片形式的每一集成线路上的各种电参数，以验证该集成线路与预定的规格相符合。除了验证符合规格的能力外，集成线路工业中的晶片级测试具有识别工艺问题、提供通过/未通过标准、执行数据收集以及产生/运行对晶片的专门测试(例如，顾客指定的测试)的固有能力。现在，单SOI结构上的集成电子和光学器件的越来越多的使用需要用于该电子和光学器件的晶片级测试的发展。这种晶片级测试需要测试焊点(test pad)/点形式的电输入/输出，以及耦合器、光纤等形式的光输入/输出。通常使用的用于将光耦合进SO...
【技术保护点】
一种晶片级测试装置，其用于硅晶片上形成的基于绝缘体硅（ＳＯＩ）的集成光电结构，所述装置包括：一光电测试元件，其可移动地接触所述硅晶片的顶部主表面，所述光电测试元件包括至少一个光输入信号通道，其用于将至少一个光测试信号导引到所 述基于ＳＯＩ的结构；和多个电测试管脚，其以与正测试的所述基于ＳＯＩ的光电结构的表面上的多个焊接点匹配的模式布置，所述多个电测试管脚用于给予所述正测试的基于ＳＯＩ的光电结构能量，以及向所述正测试基于ＳＯＩ的光电结构提供电测试信号和提供 自其的电响应信号；以及光耦合功能部件，其布置在所述光电测试元件和正测试的指定...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：普拉卡什约托斯卡，马格利特吉龙，罗伯特凯斯蒙特哥莫里，威普库马帕特尔，卡尔潘都夏斯特里，索哈姆帕塔克，大卫佩德，凯瑟琳A亚努舍弗斯奇，
申请(专利权)人：斯欧普迪克尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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