绝缘体上硅（ＳＯＩ）结构中的光的主动操控装置制造方法及图纸

一种用于在两维主动控制ＳＯＩ基光学结构内的光的操控的装置，其使用在硅－绝缘体－硅电容（ＳＩＳＣＡＰ）结构的ＳＯＩ层和多晶硅层内形成的掺杂区域。所述区域被对应掺杂以形成有源器件，其中电势在所述对应掺杂区域间的施加用于改变受影响区的反射指数，以及改变通过所述区域传播的光信号的特性。可有利地形成所述掺杂区域，以显示任何期望的“形状”（例如透镜、棱镜、布拉格光栅等），以操控传播的束，所述传播的束随这些器件的已知特性而变化。在ＳＩＳＣＡＰ形成的ＳＯＩ基光学元件（例如马赫曾德尔干涉仪、环形谐振器、光开关等）内可包括本发明专利技术的一个或更多有源器件，以形成有源的可调谐元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种ＳＯＩ基光学装置，其用于主动操控在硅－绝缘体－硅电容（ＳＩＳＣＡＰ）波导管中传播的光波信号，所述ＳＩＳＣＡＰ波导管包括：所述ＳＯＩ基光学装置的亚微米表面硅层（ＳＯＩ层）；相对薄的介电层，其叠置在所述ＳＯＩ层的至少一部分上；以及上硅层，其叠置在所述ＳＯＩ层和所述相对薄的介电层的组合上，所述用于主动操控光波信号的装置包括：至少一个掺杂区，其在所述ＳＯＩ层的所述ＳＩＳＣＡＰ波导区中形成，所述至少一个掺杂区具有第一电导类型；至少一个掺杂区，其在所述上硅层中形成，以致叠盖住在所述ＳＯＩ层中形成的所述至少一个掺杂区的至少一部分，以产生有源光区，在所述上硅层中的所述至少一个掺杂区具有第二相反的电导类型；以及与每一掺杂区关联的分离的电触点区域，其中在电压施加到一个或更多所述分离的电触点区域的情况下，所述关联的掺杂区的折射指数会改变，以产生用于操控所述传播的光波信号的特性的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：普拉卡什约托斯卡，马格利特吉龙，罗伯特凯斯蒙特哥莫里，威普库马帕特尔，卡尔潘都夏斯特里，索哈姆帕塔克，凯瑟琳A亚努舍弗斯奇，
申请(专利权)人：斯欧普迪克尔股份有限公司，普拉卡什约托斯卡，马格利特吉龙，罗伯特凯斯蒙特哥莫里，威普库马帕特尔，卡尔潘都夏斯特里，索哈姆帕塔克，凯瑟琳A亚努舍弗斯奇，
类型：发明
国别省市：US[美国]