一种光调制器，其形成为包括多个沿一个支路布置的单独的电极，所述电极具有不同长度并用不同信号驱动来提供多级信令（比如，ＰＡＭ－４信令）。通过使用单独的驱动器来激励不同的段，在给定的时间点被激励的段的数量将限定引入光信号的净相移。组合的调制...

一种光调制器，构成为包括用于动态调整调制器内的光信号路径的有效长度的可调驱动装置。每个调制器臂被分割为多段，每段耦合到单独的电信号驱动器。因此，在任意时刻对于每个调制器臂而言，每个臂的有效长度将是被启动的驱动器数量的函数。反馈装置可与多...

一个实现开关速度大于１Ｇｂ／ｓ电－光调制器装置使用预加重脉冲加快用于形成电－光调制器的光波导的折射率的变化。在一个实施例中，可以添加反馈回路以便使用一部分调制的光输出信号来调整预加重脉冲的幅度和持续时间，以及用于调制的各个参考电平。对于...

用于多信道光接收的电子色散补偿（ＥＤＣ）装置利用时分技术来在多个的Ｎ个单独的信道之间“共享”公共适应算法块。该算法块包含与延迟线的校正／更新的抽头权相关联的特定算法，形成均衡元件，且时间槽分配元件与算法块结合使用以控制不同信道对算法块的...

一种ＣＭＯＳ驱动器电路，其被配置为在传输预定数量的相似值的数据位后，提供三态条件，减少沿着传输信道的符号间干扰（ＩＳＩ）的出现。在传输信道为带宽受限的情况下，三态技术的使用允许在指定的位周期期间完全转换到供电轨。

基于形成来部分覆盖第二导电性类型的体区域的第一导电性的栅区域的硅基电光调制器（３０），具有在栅区域和体区域（１２，１０）的接触部分之间插入的相对较薄电介质层（１０）。调制器可以在ＳＯＩ平台形成，在ＳＯＩ结构的相对较薄的硅表面层中形成体区...

本发明涉及一种光电检测器，其具有在绝缘衬底上外延硅（ＳＯＩ）结构上形成的相对较薄（亚微米）的硅质光波导管，上述ＳＯＩ结构包含一层多晶锗层，所设置的多晶锗层用于耦合至少部分沿着硅光波导管传播的光信号。光信号被严格限定在波导结构中，使得能够...

使用传统的ＣＭＯＳ制造技术，在共同ＳＯＩ结构上集成无源光设备和带有标准ＣＭＯＳ电设备的有源光电设备。电设备和光设备共有ＳＯＩ层表面（相对薄的单晶硅层），并在ＳＯＩ层上形成多种所需的半导体层。某些情况下，可以使用一组工艺步骤在电设备和光设...

通过在一光波导的一部分上设置一含金属的条（优选地，为硅化物），一种硅基红外（ＩＲ）光检测器被形成在硅绝缘体（ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ，ＳＯＩ）结构内，其中所述光波导形成在所述ＳＯＩ结构的一个平面硅表层（即，“平面ＳＯＩ层...

一种用于在两维主动控制ＳＯＩ基光学结构内的光的操控的装置，其使用在硅－绝缘体－硅电容（ＳＩＳＣＡＰ）结构的ＳＯＩ层和多晶硅层内形成的掺杂区域。所述区域被对应掺杂以形成有源器件，其中电势在所述对应掺杂区域间的施加用于改变受影响区的反射指数...

使用计算机辅助设计（ＣＡＤ）工具来执行在单片的硅基的电光芯片中的电学和光学部件的集成设计、验证和布局。为包含在最终的硅基单片结构中的三种类型单元：（１）数字的电子集成电路单元；（２）模拟／混和信号电子集成电路单元；和（３）光电单元（包括...

一种采用曼哈顿设计系统来提供非曼哈顿形状集成电路元件设计的系统和方法，利用多个最小尺寸的多边形（例如矩形）来在非曼哈顿元件边界内进行拟合。矩形是合适的，这样，每个矩形的至少一个顶点与曼哈顿设计系统的栅格点符合。优选通过以相邻栅格点的间距...

一种用于从电光相位调制器（在绝缘硅（ＳＯＩ）系统内形成）输出中去除不需要的振幅调制的装置包括谐振滤波器，其在响应信号的正和负斜率上偏置。因此，当一个滤波器的振幅响应降低时，另一滤波器的振幅响应增加，这导致输出平衡以及本质上消除了相位调制...

一种基于硅的光调制器结构（２０），其包括一个或更多分离的局部加热元件（２２／２４），用于改变结构的关联部分的折射率，并因此提供校正调整以解决在器件性能中多余的变化。加热由热光器件提供，例如基于硅的电阻器、硅化物电阻器、正向偏置ＰＮ结以及...

一组平面的、二维的光学设备，其能够在ＳＯＩ结构的亚微米表面层上或者在ＳＯＩ表面层和覆盖的聚硅层的亚微米厚组合物上制备。可以应用传统的覆盖／蚀刻技术在ＳＯＩ平台上形成各种有源和无源设备。可以对设备的各个区进行掺杂以形成有源设备结构。另外，...

本文描述了一种获得并保持光从输入和输出自由空间光学器件到亚微米厚度高折射率波导的高效率传输的实际实现方法。讨论了所需的光学元件和制造、校准和组装这些元件的方法。依照优选实施例的上下文讨论了在装置工作参数的现实范围内可靠地保持高耦合效率。

一种用于多波长光信号的光学耦合系统，在自由空间光束和ＳＯＩ结构内很薄的表面层（“ＳＯＩ”层）之间提供增强的耦合效率，允许在预定波长范围内获得足够的耦合效率（大于５０％）。设在耦合棱镜和ＳＯＩ层之间的倏逝耦合层特别构造为来增强耦合效率。在...

垂直堆叠的集成电路包括至少一个ＣＭＯＳ电子集成电路（ＩＣ）、基于ＳＯＩ的光电子集成电路结构和光输入／输出耦合部件。多个金属化通路可穿过堆叠的厚度而形成，以便电气连接可在各个集成电路之间实现。能使用不同类型的光输入／输出耦合，如棱镜耦合、...

一种基于绝缘体硅片（ＳＯＩ）的光器件，其包括布置在绝缘层上的表面硅波导层，所述绝缘层覆盖硅基底，所述基于ＳＯＩ的光器件包括：　　　　第一光波导管，其用于支持第一光信号的传播；　　　　第二光波导管，其用于支持第二光信号的传播；以及　　　　...

通过使用单片光电反馈装置，提供了对于基于ＳＯＩ的光电系统的可靠性和使用寿命的改进，该单片光电反馈装置监控光电系统内的一个或更多个光信号，并提供电反馈信号以调整选择的光学设备的运行参数。例如，可以控制输入信号耦合方向。可选地，光学调制器、...