【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及蚀刻基板的控制方法
本专利技术涉及一种基板处理装置，特别是涉及一种用以蚀刻基板的基板处理装置及蚀刻基板的控制方法。
技术介绍
在半导体制程中，常会运用基板处理装置对基板进行蚀刻或清洗。现有的基板处理装置在湿式蚀刻制程中，由于无法精准侦测蚀刻终点，而为了确保所有待蚀刻膜层都能被蚀刻去除干净，一般操作基板处理装置的方式，大都设定固定制程时间进行蚀刻，而所设定的制程时间为预估可完成蚀刻的时间再额外增加至少超过预估时间的50％的时间，也就是说，通常制程时间为预估可完成蚀刻时间的1.5倍以上，以确保所有待蚀刻膜层都能被去除干净。然而，过长的蚀刻时间会使侧蚀量变多，进而造成先进制程小线宽的产品的质量变差的风险。此外，在蚀刻过程中若有制程变异，即可能在原本设定的制程时间结束后并未完全去除所有待蚀刻膜层，但是现有的基板处理装置无法及时发现此异常。
技术实现思路
本专利技术的其中一目的在于提供一种可以解决前述至少一问题的基板处理装置。本专利技术的基板处理装置在一些实施态样中，是包含基板承载模块...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于：包含：/n基板承载模块，包括旋转台以供设置基板；/n流体供应模块，包括喷嘴，该喷嘴对应该旋转台设置以供应蚀刻液；/n侦测模块，包括光源发射器及光谱接收器，该光源发射器用以发射光线至该基板，该光谱接收器用以接收从该基板反射的光线并产生光谱信号；及/n控制模块，与该流体供应模块及该侦测模块电连接，并在该基板被蚀刻过程中接收该光谱信号且对应所接收的光谱信号产生实时光谱数据，再分析该实时光谱数据以获得特征数据并据以判断是否已达蚀刻终点。/n
【技术特征摘要】
20190509 US 62/845,3601.一种基板处理装置，其特征在于：包含：
基板承载模块，包括旋转台以供设置基板；
流体供应模块，包括喷嘴，该喷嘴对应该旋转台设置以供应蚀刻液；
侦测模块，包括光源发射器及光谱接收器，该光源发射器用以发射光线至该基板，该光谱接收器用以接收从该基板反射的光线并产生光谱信号；及
控制模块，与该流体供应模块及该侦测模块电连接，并在该基板被蚀刻过程中接收该光谱信号且对应所接收的光谱信号产生实时光谱数据，再分析该实时光谱数据以获得特征数据并据以判断是否已达蚀刻终点。
2.根据权利要求1所述基板处理装置，其特征在于：该实时光谱数据是取该光谱信号中第一波段的光谱强度的平均值A1及取该光谱信号中第二波段的光谱强度的平均值A2，分析该实时光谱数据是以A1减去A2产生实时参数值R，且将蚀刻过程中各时间点的实时参数值R形成曲线图，取该曲线图的斜率而获得该特征数据，于该特征数据形成正负转变时判断已达蚀刻终点。
3.根据权利要求2所述基板处理装置，其特征在于：该第一波段的波长为235nm至300nm，该第二波段的波长为570nm至700nm。
4.根据权利要求1所述基板处理装置，其特征在于：该实时光谱数据是将该光谱信号经信号处理后所得的转换光谱，分析该实时光谱数据是分析该转换光谱的波形，该特征数据为该转换光谱的波形出现特征光谱波形时判断已达蚀刻终点。
5.根据权利要求1所述基板处理装置，其特征在于：该光源发射器发出的光的波长介于200nm至800nm。
6.根据权利要求1所述基板处理装置，其特征在于：该侦测模块还包括侦测头，该侦测头具有出入光面以供该光源发射器的光线射出且供自该基板反射的光线进入。
7.根据权利要求6所述基板处理装置，其特征在于：该侦测模块还包括驱动机构，该驱动机构与该侦测头连接并受该控制模块控制驱动该侦测头在工作位置及待机位置之间移动。
8.根据权利要求6所述基板处理装置，其特征在于：该侦测模块还包括吹气机构，相邻该侦测头设置以在该侦测头受控移动至该工作位置时吹气以防止该蚀刻液喷溅至该侦测头的出入光面。
9.根据权利要求6所述基板处理装置，其特征在于：还包含清洁模块，设于相邻该待机位置处以在该侦测头受控移动至该待机位置时清洁该侦测头。
10.根据权利要求9所述基板处理装置，其特征在于：该清洁模块包括用以清洗该侦测头的清洗槽及用以吹干该侦测头的吹气干燥机构。
11.根据权利要求1所述基板处理装置，其特征在于：该控制模块预设有第一延迟时间，该第一延迟时间为该控制模块从启动该流体供应模块供应该蚀刻液至启动该侦测模块以发射光线的间隔时间。
12.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟孟达，林建中，冯传彰，林世佳，何宗育，
申请(专利权)人：辛耘企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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