均匀进气氧化气体匀化罩制造技术

本实用新型专利技术公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进气口或者出气口水气乱流或者高温造成的氧化腔体内气流不稳而造成的湿法氧化不均匀、不稳定。本实用新型专利技术提供的使进气平缓、稳定、均匀的进气匀化罩，氧化时将样品放置于匀化罩内，气体不再是从单一方向流过样品，而是从外罩的开孔进入，保证流过样品的气体来自各个不同方向孔径，且能使水汽平缓降落在晶圆表面，从而达到样品匀速稳定氧化的目的。

【技术实现步骤摘要】
均匀进气氧化气体匀化罩
本技术涉及一种均匀进气氧化气体匀化罩，属于半导体技术、光通信和光存储领域。
技术介绍
自1977年，日本东京工业大学的伊贺健一提出垂直共振腔表面放射激光(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser,VCSEL)的概念开始，VCSEL各个方面的研究到现在均有很大的发展。VCSEL的光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射，有阈值电流低、稳定单波长工作、易高频调制、易二维集成等优点。典型的VCSEL为面发射结构。VCSEL从材料到工艺，包含很多工艺流程，有材料生长、外延结构表征、器件制作、性能测试等。一个完整的VCSEL器件制作工艺流程主要是：材料外延生长→外延结构表征→器件工艺(包括外延片清洗、光刻、刻蚀、氧化、绝缘层沉积、合金化、剥离、减薄等)→后部工艺→器件特性测试。其中氧化是器件工艺流程中的关键步骤。通过控制氧化工艺过程，在铝比较集中的部位形成氧化物，而这种氧化物可以被用来限制VCSEL中的电流及光粒子，达到低阈值电流的目的。传统的氧化工艺是在刻蚀完成后，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或者无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或者无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。


2.根据权利要求1所述的均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为正方体时，侧面和底面的边长为60-220mm。


3.根据权利要求1所述的均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为半球形、弧形时，底面的半径为30-100mm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，谢自力，黄愉，潘巍巍，彭伟，
申请(专利权)人：南京集芯光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32