一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置制造方法及图纸

一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置，本实用新型专利技术涉及半导体生产设备技术领域，它还包含二号连杆、喷嘴和摆动连接件；喷嘴的外侧固定套设有摆动连接件，数个摆动连接件的后侧等间距旋转设置在摆动整体框架的前侧壁上，蚀刻机本体的内部固定设置有二号连杆，摆动连接件的端部开设有腰形槽，摆动连接件通过腰形槽旋转套设在二号连杆上，保留了原装置的水平往复机构，通过摆动连接件带动喷嘴做水平动作的时候同时做弧形动作，将喷洒到工件的药液快速排出以增加新鲜蚀刻液的补入，更好的进入线路内部，有效提升引线框架蚀刻精度，清除基板板面积液，有效提升高密度引线框架的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置
本技术涉及半导体生产设备
，具体涉及一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置。
技术介绍
引线框架作为集成电路的芯片载体，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料，目前国内高端引线框架主要依靠进口，普通冲压引线框架又满足不了高精度的要求，只能采用蚀刻工艺制作引线框架，这样精密度更高，而采用普通的摆动喷淋方式蚀刻精度提升有限，这就需要采用组合式的其他摆动喷淋结构来实现制作高精度引线框架满足市场需求。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种设计合理的半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置，保留了原装置的水平往复机构，通过摆动连接件带动喷嘴做水平动作的时候同时做弧形动作，将喷洒到工件的药液快速排出以增加新鲜蚀刻液的补入，更好的进入线路内部，有效提升引线框架蚀刻精度，清除基板板面积液，有效提升高密度引线框架的良品率。为达到上述目的，本技术采用了下列技术方案：它包含蚀刻机本体、摆动整体框架、驱动电机、偏心轮和一号连杆；蚀刻机本体内部的输送面上下两侧均对称活动设置有摆动整体框架；蚀刻机本体的上侧通过电机支架固定设置有驱动电机，驱动电机的输出轴穿过蚀刻机本体的顶部后，通过轴承旋转设置在蚀刻机本体的内底面上；驱动电机的输出轴上下两侧分别对称固定套设有偏心轮，上下两侧的摆动整体框架上均固定设置有一号连杆，一号连杆的一端与相对应位置上的偏心轮的偏心轴旋转连接；它还包含二号连杆、喷嘴和摆动连接件；喷嘴的外侧固定套设有摆动连接件，数个摆动连接件的后侧等间距旋转设置在摆动整体框架的前侧壁上，蚀刻机本体的内部固定设置有二号连杆，摆动连接件的端部开设有腰形槽，摆动连接件通过腰形槽旋转套设在二号连杆上。采用上述结构后，本技术的有益效果是：本技术所述的一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置，保留了原装置的水平往复机构，通过摆动连接件带动喷嘴做水平动作的时候同时做弧形动作，将喷洒到工件的药液快速排出以增加新鲜蚀刻液的补入，更好的进入线路内部，有效提升引线框架蚀刻精度，清除基板板面积液，有效提升高密度引线框架的良品率，本技术具有设置合理，制作成本低等优点。附图说明：图1是现有技术中的结构示意图。图2是本技术的结构示意图。图3是具体实施方式的结构示意图。附图标记说明：蚀刻机本体1、摆动整体框架2、驱动电机3、偏心轮4、一号连杆5、二号连杆6、喷嘴7、摆动连接件8、腰形槽9。具体实施方式：下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2-图3所示，本具体实施方式采用如下技术方案：它包含蚀刻机本体1、摆动整体框架2、驱动电机3、偏心轮4和一号连杆5；蚀刻机本体1内部的输送面上下两侧均对称活动设置有摆动整体框架2，摆动整体框架2的材质为钛材；蚀刻机本体1的上侧通过电机支架和螺栓固定设置有驱动电机3，驱动电机3的输出轴穿过蚀刻机本体1的顶部后，通过轴承旋转设置在蚀刻机本体1的内底面上，该轴承外侧壁与蚀刻机本体1固定连接，轴承内侧壁与驱动电机3的输出轴固定连接；驱动电机3的输出轴上下两侧分别对称固定套设有偏心轮4，上下两侧的摆动整体框架2上均固定设置有一号连杆5，一号连杆5的一端与相对应位置上的偏心轮4的远端偏心轴旋转连接；它还包含二号连杆6、喷嘴7和摆动连接件8；喷嘴7的外侧通过螺栓固定套设有摆动连接件8，数个摆动连接件8的后侧等间距旋转设置在摆动整体框架2的前侧壁上，蚀刻机本体1的内部通过螺栓固定设置有二号连杆6，摆动连接件8的端部开设有腰形槽9，摆动连接件8通过腰形槽9旋转套设在二号连杆6上，二号连杆6固定，摆动整体框架2左右往复运动时，摆动连接件8绕着其与摆动整体框架2的旋接点做往复弧形运动。本具体实施方式的工作原理：先将摆动连接件8与喷嘴7相连接安装，喷嘴7上自带有密封进水系统，然后将摆动连接件8和喷嘴7等间距连接在摆动整体框架2的前侧壁上，然后再安装二号连杆6，将连杆与每个摆动连接件8上的腰形槽9连接，接着安装一号连杆5，将外部水泵主管与喷嘴7上的密封进水系统连接；驱动电机3与外部电源接通，驱动电机3的输出端带动偏心轮4转动，从而使得一号晾杆带动摆动整体框架2在蚀刻机的内部做左右向的往复运动，同时，摆动连接件8在二号连杆6的作用下带动喷嘴7做弧形摇摆，将喷洒到工件的药液快速排出以增加新鲜蚀刻液的补入，更好的进入线路内部，清除基板板面积水。采用上述结构后，本具体实施方式的有益效果如下：1、通过二号连杆6和摆动连接件8带动喷嘴7做弧形运动，保留了原装置的水平往复机构，通过摆动连接件8带动喷嘴7做水平动作的时候同时做弧形动作，将喷洒到工件的药液快速排出以增加新鲜蚀刻液的补入，更好的进入线路内部；2、有效提升引线框架蚀刻精度，清除基板板面积液，有效提升高密度引线框架的良品率。尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置，它包含蚀刻机本体（1）、摆动整体框架（2）、驱动电机（3）、偏心轮（4）和一号连杆（5）；蚀刻机本体（1）内部的输送面上下两侧均对称活动设置有摆动整体框架（2）；蚀刻机本体（1）的上侧通过电机支架固定设置有驱动电机（3），驱动电机（3）的输出轴穿过蚀刻机本体（1）的顶部后，通过轴承旋转设置在蚀刻机本体（1）的内底面上；驱动电机（3）的输出轴上下两侧分别对称固定套设有偏心轮（4），上下两侧的摆动整体框架（2）上均固定设置有一号连杆（5），一号连杆（5）的一端与相对应位置上的偏心轮（4）的偏心轴旋转连接；其特征在于：它还包含二号连杆（6）、喷嘴（7）和摆动连接件（8）；喷嘴（7）的外侧固定套设有摆动连接件（8），数个摆动连接件（8）的后侧等间距旋转设置在摆动整体框架（2）的前侧壁上，蚀刻机本体（1）的内部固定设置有二号连杆（6），摆动连接件（8）的端部开设有腰形槽（9），摆动连接件（8）通过腰形槽（9）旋转套设在二号连杆（6）上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置，它包含蚀刻机本体（1）、摆动整体框架（2）、驱动电机（3）、偏心轮（4）和一号连杆（5）；蚀刻机本体（1）内部的输送面上下两侧均对称活动设置有摆动整体框架（2）；蚀刻机本体（1）的上侧通过电机支架固定设置有驱动电机（3），驱动电机（3）的输出轴穿过蚀刻机本体（1）的顶部后，通过轴承旋转设置在蚀刻机本体（1）的内底面上；驱动电机（3）的输出轴上下两侧分别对称固定套设有偏心轮（4），上下两侧的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵文庆，袁永卫，李圆圆，高平，刘亚飞，
申请(专利权)人：常州弘盛达电子设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32