【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于评估装置的电特性的技术。技术背景为了评估装置的电特性，执行一种使探针接触焊盘以测量布线间 电阻的方法。此时，所述探针的接触电阻影响测量电阻。由于自动测 量设备上的探针接触电阻的影响，即使多余的电阻以污染物的形式增 加到探针以略微改变电特性，测量值落入制造偏差的范围内，而且不 引起任何问题。但是，最近，需要用更精细的工艺减小该偏差。由此，仅仅通过 开路/短路检查和焊盘之间的电阻的粗略检査不可能满足测量要求。在具有高性能的LSI中，最近，在其中执行对产品晶片上设置的特 性监视器的MOSFET测试的排序工序中，执行不使用电压而是使用电流 的排序工序。在该排序工序中，基于所述MOSFET的阈值电压Vth，不 是MOSFET的导通电流，执行该排序。通过测量以微安级的小电流执行 阈值电压排序，但是通过测量相对大的毫安培级的电流，执行导通电 流排序。因此，当约10fi的接触电阻被附着到探针时，由于该接触电阻 而引起的电压降不能被忽略，因为电流以相当大的比率减小。因此， 基于该接触电阻，影响该排序。此外，为了满足严格的排序规则，所 述测量偏差不能被忽略...
【技术保护点】
一种探针电阻测量方法，包括： 基于第一对应关系，通过将探针单元的多个探针的至少部分探针与三个或更多个用于电阻测量的焊盘接触，测量三个或更多节点处的第一电阻； 存储测量的第一电阻作为第一测量结果；以及 基于所述第一测量结果，计算所述探针单元的所述多个探针的接触电阻。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：道又重臣，柳泽正之，黑柳一诚，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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