晶圆质量控制方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆质量控制方法，包括，根据不同时间测量的各盒晶圆的可接受测试参数和良率，得到可接受测试参数和良率与时间的关系；如果可接受测试参数和良率均随时间产生漂移并且与时间的相关性概率小于第一设定值，则根据可接受测试参数和良率，得到良率随可接受测试参数漂移趋势；根据良率随可接受测试参数漂移趋势，得到良率和可接受测试参数的相关系数；如果良率和可接受测试参数的相关系数大于或等于第二设定值，则可接受测试参数是与晶圆失效有关的可疑参数；如果良率和可接受测试参数的相关系数小于第二设定值，则可接受测试参数不是与晶圆失效有关的可疑参数。本发明专利技术晶圆质量控制方法较精确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶圓质量控制方法。
技术介绍
晶圓可接受测试(WAT, Wafer Acceptance Test)参数是指通过才几台对于 设置在晶圓上的测试结构进行电性能测量所得到的数据，例如阈值电压、漏 极饱和电流等。这些测试结构是设置在晶圓上各晶粒之间的空余位置上的， 并且这些测试结构通常是基于各种不同的工艺和设计要求而设计的，通过对 于这些测试结构进行电性能测量而得到的WAT参数可以用来检测晶圆的质 量。但是由于机台设备校准、工艺参数不够优化造成脱离制程窗口和机台参数 漂移等原因，WAT参数会发生改变，即对于各个晶圓上的相同测试结构测量 得到的数据并不完全一致。因此，通过对于WAT参数的分析来确保晶圆的可 靠性就显得很重要了。 一般都是通过统计过程控制(SPC, Statistical Process Control)的方法建立一个对于WAT参数进行检验的分析系统，通过建立一些 单一的控制标准来对于WAT参数进行检验，例如对于漏极饱和电流设定最大 漏极饱和电流作为上限标准，设定最小漏极饱和电流作为下限标准，当被测 量的晶圓的漏极饱和电流超过上限标准或低于下限标准时，该晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆质量控制方法，其特征在于，包括，根据不同时间测量的各盒晶圆的可接受测试参数和良率，得到可接受测试参数与时间的关系以及良率与时间的关系；如果可接受测试参数和良率均随时间产生漂移并且可接受测试参数和良率与时间的相关性概率均小于第一设定值，则根据可接受测试参数和良率，得到良率随可接受测试参数漂移趋势；根据良率随可接受测试参数漂移趋势，得到良率和可接受测试参数的相关系数；如果良率和可接受测试参数的相关系数大于或等于第二设定值，则可接受测试参数是与晶圆失效有关的可疑参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林光启，张霞峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]