【技术实现步骤摘要】
硅片承载结构即分离装置
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种硅片承载结构及分离装置。
技术介绍
硅片加工工艺中，硅片清洗工艺非常重，清洗工艺直接决定了硅片表面颗粒及各种污染物的残留多少。颗粒和残留物越少，硅片质量越高，这个是硅片制造工艺中最重要的一环。目前加工工艺中大部分使用的槽式清洗法，将整盒Cassette(卡片匣)里的硅片投入到硅片清洗设备的清洗槽中清洗，这种槽式清洗设备上料端需要将卡片匣里所有的硅片、通过分离托台向上拖起来、和卡片匣分离，然后机械手臂同时夹取整盒硅片依次放入各种清洗液的槽中进行清洗。在硅片与卡片匣分离前，卡片匣是放置于具有水的分离槽中的，硅片与卡片匣分离时，分离托台通过气缸向上运动时将硅片从卡片匣中顶出实现完全分离。由于加工的硅片厚度有差异，较薄的硅片不能匹配分离托台上凹槽的尺寸，不能在凹槽内卡住，另外硅片又受到分离槽中水流的影响，导致硅片在托台向上顶起时，经常发生硅片倾倒或者叠片现象，不仅导致产品报废，而且由于倾倒或者叠片现象也不能够被感知，会出现机械臂将硅片夹碎现象，也会损伤机械臂。
【技术保护点】
1.一种硅片承载结构，包括基台，所述基台上并排设置的第一条形支撑架和第二条形支撑架，所述第一条形支撑架沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第一卡槽，所述第一卡槽的延伸方向与所述第一条形支撑架的延伸方向相垂直，所述第二条形支撑架沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第二卡槽，所述第二卡槽的延伸方向与所述第二条形支撑架的延伸方向相垂直，多个所述第一卡槽与多个所述第二卡槽一一对应，其特征在于，/n所述第一卡槽包括沿垂直于所述基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着所述第一卡槽的深度的增加而减小；/n所述第二卡槽包括沿垂直于所述基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡...
【技术特征摘要】
1.一种硅片承载结构，包括基台，所述基台上并排设置的第一条形支撑架和第二条形支撑架，所述第一条形支撑架沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第一卡槽，所述第一卡槽的延伸方向与所述第一条形支撑架的延伸方向相垂直，所述第二条形支撑架沿其延伸方向设置有多个间隔排布的第二卡槽，所述第二卡槽的延伸方向与所述第二条形支撑架的延伸方向相垂直，多个所述第一卡槽与多个所述第二卡槽一一对应，其特征在于，
所述第一卡槽包括沿垂直于所述基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在第一方向上的宽度随着所述第一卡槽的深度的增加而减小；
所述第二卡槽包括沿垂直于所述基台的方向相叠置的多个子卡槽，该多个子卡槽在所述第一方向上的宽度随着所述第二卡槽的深度的增加而减小；
所述第一卡槽上的多个子卡槽包括第一子卡槽和第二子卡槽，所述第二卡槽上的多个子卡槽包括第三子卡槽和第四子卡槽，所述第一子卡槽与所述第三子开槽相对应、以共同承载具有第一厚度值的硅片，所述第二子卡槽与所述第四子卡槽相对应、以共同承载具有第二厚度值的硅片，所述第一厚度值大于所述第二厚度值；
所述第一方向为所述第一条形支撑架的延伸方向。
2.根据权利要求1所述的硅片承载结构，其特征在于，所述第一子卡槽和所述第三子卡槽的结构相同，所述第一子卡槽沿其深度方向包括第一部分和第二部分，所述第二部分靠近所述基台设置，且所述第一部分在所述第一方向上的截面为倒置的梯形，所述第二部分在所述第一方向上的截面为矩形。
3.根据权利要求2所述的硅片承载结构，其特征在于，所述第一子卡槽的槽底和对应的所述第三子卡槽的槽底位于同一弧面上。
4.根据权利要求2所述的硅片承载结构，其特征在于，所述第二子卡槽和所述第四子卡槽的结构相同，所述第二子卡槽沿其深度方向包括第三部分和第四部分，所述第四部分靠近所述基台设置，且所述第三部分在所述第一方向上的截面为倒置的梯形，所述第四部分在所述第一方向上的截面为矩形。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：任少军，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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