用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

公开了一种用于处理基板的装置和方法。该装置包括：支承单元，其支承包括待去除的膜的基板；激光生成单元，其生成激光束以处理待去除的膜；分束器，其将从激光生成单元发射并引导至分束器的激光束分成沿着朝向基板的上边缘的第一路径行进的第一激光束、和沿着朝向基板的下边缘的第二路径行进的第二激光束；第一束整形单元，其设置在第一路径上并整形第一激光束；第二束整形单元，其设置在第二路径上并整形第二激光束；第一束扫描单元，其设置在第一路径上的第一束整形单元的下游，并以扫描的方式将第一激光束施用到基板的上边缘；和第二束扫描单元，其设置在第二路径上的第二束整形单元的下游，并以扫描的方式将第二激光束施用到基板的下边缘。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月30日提交的、申请号为10-2019-0050340的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法。
技术介绍
执行诸如涂覆、光刻、沉积、灰化、蚀刻和离子注入等各种工艺，以处理基板，例如用于制造平板显示器的半导体晶片或玻璃板。当在基板上执行工艺时，基板具有施用到或沉积在基板表面上的固化的薄膜。需要边缘珠粒(edgebead)去除工艺以增加基板边缘处的生产出品率(yield)。在边缘珠粒去除工艺中，从基板的边缘区域去除不需要的薄膜和附着的副产物聚合物。通常，基板处理装置通过将化学品分配到基板W的边缘区域上来去除边缘珠粒。在使用化学品执行边缘珠粒去除工艺的情况下，可能无法适当地执行从基板W的边缘区域去除膜。例如，如图1所示，可以去除基板W的边缘区域上的膜F，以使膜F在基板W的径向方向上向下倾斜。当没有适当地去除边缘珠粒时，制造工艺的出品率降低。另外，在工艺之后，可能在基板W的表面上形成针状标记(pinmark)，并因此可能额外地污染基板W。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方案提供了一种用于改进基板处理效率的基板处理装置和方法。此外，本专利技术构思的实施方案提供了一种基板处理装置和方法，即使当基板的上边缘和下边缘的膜状况(filmcondition)彼此不同时，其也可以同时地且有效地处理基板的上边缘和下边缘。>本专利技术构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本专利技术构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。根据示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：支承单元，其支承所述基板，所述基板包括待去除的膜；激光生成单元，其生成激光束以处理所述待去除的膜；分束器，其将从所述激光生成单元发射并引导至所述分束器的所述激光束分成沿着朝向所述基板的上边缘的第一路径行进的第一激光束、和沿着朝向所述基板的下边缘的第二路径行进的第二激光束；第一束整形单元(firstbeamshapingunit)，其设置在所述第一路径上并整形所述第一激光束；第二束整形单元，其设置在所述第二路径上并整形所述第二激光束；第一束扫描单元(firstbeamscanningunit)，其设置在所述第一路径上的所述第一束整形单元的下游，并以扫描的方式将所述第一激光束施用到所述基板的所述上边缘；和第二束扫描单元，其设置在所述第二路径上的所述第二束整形单元的下游，并以扫描的方式将所述第二激光束施用到所述基板的所述下边缘。由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束的束形状不同于由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束的束形状。在实施方案中，所述基板的所述上边缘的膜状况可以不同于所述基板的所述下边缘的膜状况。在实施方案中，所述基板可以同时通过所述第一激光束和所述第二激光束进行处理。在实施方案中，由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束可以具有比由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束大的截面。在实施方案中，由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束的每单位面积的能量可以大于由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束的每单位面积的能量。在实施方案中，由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束的膜蚀刻速率可以大于由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束的膜蚀刻速率。在实施方案中，所述第一束扫描单元的扫描速度可以不同于所述第二束扫描单元的扫描速度。在实施方案中，所述第一束扫描单元的扫描速度可以低于所述第二束扫描单元的扫描速度。根据示例性实施方案，一种用于处理基板的边缘的方法包括：装载所述基板，所述基板包括待去除的膜；生成激光束以处理所述待去除的膜；将所述激光束分成沿第一路径行进的第一激光束和沿第二路径行进的第二激光束；将所述第一激光束整形为第一束形状；将所述第二激光束整形为第二束形状；和通过将整形为所述第一束形状的所述第一激光束传输到所述基板的上边缘来处理所述基板的所述上边缘，并通过将整形为所述第二束形状的所述第二激光束传输到所述基板的下边缘来处理所述基板的所述下边缘。所述第一束形状不同于所述第二束形状。在实施方案中，具有所述第一束形状的所述第一激光束的膜蚀刻速率可以大于具有所述第二束形状的所述第二激光束的膜蚀刻速率，所述第二激光束由所述第二束整形单元整形。在实施方案中，通过所述第一激光束对所述基板的所述上边缘的处理和通过所述第二激光束对所述基板的所述下边缘的处理可以同时执行。附图说明参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：图1是示出了通过化学品去除边缘珠粒后的截面的视图；图2是示出了根据本专利技术构思的实施方案的基板处理设备的平面图；图3是图2的基板处理装置的侧视图；图4是示出了以扫描的方式将第一激光束和第二激光束施用到在其上具有膜的基板的边缘的实施例的截面图；图5是去除了基板边缘上的膜的基板的截面图；和图6是示出了根据本专利技术构思的实施方案的基板处理方法的流程图。具体实施方式下文中，将参照附图详细描述本专利技术构思的实施方案，使得本专利技术构思所属领域的技术人员可以容易地实现本专利技术构思。然而，本专利技术构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方案。此外，在描述本专利技术构思的实施方案时，当与已知的功能或配置相关的详细描述可能使得本专利技术构思的主题不必要地难以理解时，该详细描述被省略。另外，在整个附图中，执行相似的功能和操作的组件具有相同的附图标记。说明书中的术语“包括(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应的组件，且除非另有特别的说明，否则不排除且可能包括额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包括(include)”、“包括(comprise)”和“具有(have)”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，组件的形状和尺寸可被夸大以为了清楚的说明。在下文中，将参照图2至图6详细描述本专利技术构思的实施方案。图2是示出了根据本专利技术构思的实施方案的基板处理设备的平面图。参照图2，基板处理设备(substrateprocessingequipment)10具有索引模块100和处理模块200。索引模块100包括装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和处理模块200依序地布置成排。在下文中，装载端口120、传送框架140和处理模块200布置的方向被称为第一方向12，从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且垂直于包括第一方向12和第二方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n支承单元，其配置为支承所述基板，所述基板包括待去除的膜；/n激光生成单元，其配置为生成激光束以处理所述待去除的膜；/n分束器，其配置为将从所述激光生成单元发射并引导至所述分束器的所述激光束分成沿着朝向所述基板的上边缘的第一路径行进的第一激光束、和沿着朝向所述基板的下边缘的第二路径行进的第二激光束；/n第一束整形单元，其设置在所述第一路径上并配置为整形所述第一激光束；/n第二束整形单元，其设置在所述第二路径上并配置为整形所述第二激光束；/n第一束扫描单元，其设置在所述第一路径上的所述第一束整形单元的下游，并配置为以扫描的方式将所述第一激光束施用到所述基板的所述上边缘；和/n第二束扫描单元，其设置在所述第二路径上的所述第二束整形单元的下游，并配置为以扫描的方式将所述第二激光束施用到所述基板的所述下边缘，/n其中由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束的束形状不同于由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束的束形状。/n

【技术特征摘要】
20190430 KR 10-2019-00503401.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
支承单元，其配置为支承所述基板，所述基板包括待去除的膜；
激光生成单元，其配置为生成激光束以处理所述待去除的膜；
分束器，其配置为将从所述激光生成单元发射并引导至所述分束器的所述激光束分成沿着朝向所述基板的上边缘的第一路径行进的第一激光束、和沿着朝向所述基板的下边缘的第二路径行进的第二激光束；
第一束整形单元，其设置在所述第一路径上并配置为整形所述第一激光束；
第二束整形单元，其设置在所述第二路径上并配置为整形所述第二激光束；
第一束扫描单元，其设置在所述第一路径上的所述第一束整形单元的下游，并配置为以扫描的方式将所述第一激光束施用到所述基板的所述上边缘；和
第二束扫描单元，其设置在所述第二路径上的所述第二束整形单元的下游，并配置为以扫描的方式将所述第二激光束施用到所述基板的所述下边缘，
其中由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束的束形状不同于由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束的束形状。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述基板的所述上边缘的膜状况不同于所述基板的所述下边缘的膜状况。


3.根据权利要求1所述的装置，其中所述基板同时通过所述第一激光束和所述第二激光束进行处理。


4.根据权利要求1所述的装置，其中由所述第二束整形单元整形的所述第二激光束具有比由所述第一束整形单元整形的所述第一激光束大的截面。


5.根据权利要求1所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：权五烈，安俊建，方炳善，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR