【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利说明半导体基体上之薄膜及残留物之测量方法与设备 本专利技术一般关于半导体制造，尤其有关在晶片处理期间之薄膜之测量。在半导体装置的制造中，存在有一种测量基板上的材料特征部的需求。一般而言，积体电路装置以多层构造的形式制造。于基板层形有具有P型与N型掺杂区域的晶体管装置。在后来的层中，互连金属化线是被刻以图案并电连接至晶体管装置，用以定义期望功能装置。例如二氧化硅的介电材料使图案化的导电特征部绝缘。通过这些层的蚀刻路径提供一种用以接触例如晶体管的半导体装置的手段。金属化线图案形成于介电材料中，然后执行金属CMP操作以移除过度的金属化。在集成电路制造期间，有许多搜集度量衡数据的机会，也即测量基板上的材料与装置特性的机会。多数特性可以藉由获得表示装置、特征部或材料之一信号而决定。随著半导体的制造上所采用的特征部与薄膜的厚度的尺寸继续减小，收集度量衡的任务变得更复杂化与精确。基板上的材料的特性在整制程都受到仔细监视，但此任务的层间介电(ILD)阶段期间变得更加困难，也即当堆叠包含多重介电与金属膜层时会变得更加困难。光学传感器可能用于例如二氧化硅与使用于半导体装置的制造上的...
【技术保护点】
一种方法，包含以下步骤：旋转具有一薄膜的基板；横越过沿着该基板的一表面的路径扫描光学传感器；于沿着该路径的多个点利用该光学传感器来感测该薄膜的特性；以及使用来自沿着该路径的该多个点的信息产生该薄膜的测绘图。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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