存储器件的制备方法技术

本申请公开了一种存储器件的制备方法，包括：在衬底上形成字线多晶硅层；对字线多晶硅层进行平坦化处理；依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理，在字线多晶硅层上形成字线氧化层；对目标区域进行刻蚀，去除目标区域的字线氧化层和目标深度的字线多晶硅层，形成控制栅；在控制栅上形成金属硅化物层。本申请在存储器件的制备过程中，在对字线多晶硅层进行平坦化处理后，通过依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理在字线多晶硅层上形成字线氧化层，形成的字线氧化层的厚度和密度的均匀度较好，从而降低了后续工艺产生缺陷的几率，在一定程度上提高了存储器件的稳定性和良率。

【技术实现步骤摘要】
存储器件的制备方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种存储器件的制备方法。
技术介绍
采用非易失性存储(non-volatilememory，NVM)技术的存储器目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universalserialbusflashdisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。NVM存储器中，NORD闪存(flash)具有传输效率高，在1MB至4MB的容量时成本较低的特点，其通常包括在衬底上形成的存储器件阵列(cellarray)和位于存储器件阵列周围的逻辑器件。相关技术中，在浮栅(floatinggate，FG)结构的NORD闪存的制备过程中，在控制栅(controlgate，CG)成型的工艺过程中，存储器件阵列中的字线多晶硅(wordlinepoly，WLpoly)层上需要形成字线氧化层对字线多晶硅层进行保护。然而，由于相关技术中形成的字线氧化层的厚度和密度的均匀度较差，会导致字线多晶硅层表面存在缺陷，从而降低了存储器件的稳定性和制造良率。
技术实现思路
本申请提供了一种存储器件的制备方法，可以解决相关技术中提供的存储器件的制备方法制备得到的存储器件的稳定较差和良率较低的问题。一方面，本申请实施例提供了一种存储器件的制备方法，包括：在衬底上形成字线多晶硅层；对所述字线多晶硅层进行平坦化处理；依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理，在所述字线多晶硅层上形成字线氧化层；对目标区域进行刻蚀，去除所述目标区域的字线氧化层和目标深度的字线多晶硅层，形成控制栅，所述目标区域是所述衬底的存储单元区中，除所述控制栅对应的区域以外的其它区域；在所述控制栅上形成金属硅化物层(salicide)层。可选的，所述对所述字线多晶硅层进行平坦化处理之后，还包括：对所述字线多晶硅层进行离子注入，在所述字线多晶硅层上形成非晶态硅。可选的，在所述依次进行快速热氧化(rapidthermaloxidation，RTO)处理和炉管氧化处理中，快速热氧化处理的温度为700摄氏度(℃)至1500摄氏度。可选的，在所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理中，快速热氧化处理的时间为30秒(s)至90秒。可选的，在所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理中，炉管氧化处理的温度为620摄氏度至1220摄氏度。可选的，在所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理之后，所述字线多晶硅层的厚度为至700埃。可选的，所述在所述控制栅上形成金属硅化物层，包括：在所述存储单元区沉积隔离层；进行刻蚀，去除所述控制栅上的隔离层且对所述字线氧化层进行减薄；在所述存储单元区沉积金属层，进行热处理使所述控制栅上的金属层与所述字线氧化层反应生成所述金属硅化物层；去除所述金属层。可选的，所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理之后，所述对所述存储单元的目标区域进行刻蚀之前，还包括：在所述字线氧化层上形成硬掩模层；去除所述衬底的逻辑区的硬掩模层、字线多晶硅层和字线氧化层，使所述逻辑区的衬底暴露；在所述逻辑区依次形成栅氧化层和位于所述栅氧化层上的逻辑栅极；去除所述存储单元区的硬掩模层和多晶硅层。可选的，所述硬掩模层包括硅氮化物。可选的，所述硬掩模层的厚度为340埃至740埃。本申请技术方案，至少包括如下优点：在存储器件的制备过程中，在对字线多晶硅层进行平坦化处理后，通过依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理在字线多晶硅层上形成字线氧化层，形成的字线氧化层的厚度和密度的均匀度较好，从而降低了后续工艺产生缺陷的几率，在一定程度上提高了存储器件的稳定性和良率。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请一个示例性实施例提供的存储器件的制备方法；图2至图7是本申请一个示例性实施例提供的存储器件的制备流程示意图；图8是本申请一个示例性实施例提供的逻辑器件的制备方法。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。参考图1，其示出了本申请一个示例性实施例提供的存储器件的制备方法，该方法可应用于NORD闪存的制造，该方法包括：步骤101，在衬底上形成字线多晶硅层。参考图2，其示出了在衬底的存储单元区形成字线多晶硅层的剖面示意图。其中，存储单元区是衬底210上形成存储器件的区域。示例性的，如图2所示，可通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)工艺在衬底210上沉积多晶硅，形成字线多晶硅层220。可选的，沉积形成的字线多晶硅层220的厚度为1500埃至2100埃(例如，可以是1800埃)。步骤102，对字线多晶硅层进行平坦化处理。参考图3，其示出了对字线多晶硅层层进行平坦化处理后的剖面示意图。示例性的，如图4所示，可通过化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，CMP)工艺对字线多晶硅层220进行平坦化处理，使字线多晶硅层220的表面平坦化。步骤103，依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理，在字线多晶硅层上形成字线氧化层。参考图4，其示出了对字线多晶硅层进行快速热氧化处理后的剖面示意图；参考图5，其示出了对字线多晶硅层进行炉管氧化处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成字线多晶硅层；/n对所述字线多晶硅层进行平坦化处理；/n依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理，在所述字线多晶硅层上形成字线氧化层；/n对目标区域进行刻蚀，去除所述目标区域的字线氧化层和目标深度的字线多晶硅层，形成控制栅，所述目标区域是所述衬底的存储单元区中，除所述控制栅对应的区域以外的其它区域；/n在所述控制栅上形成金属硅化物层。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成字线多晶硅层；
对所述字线多晶硅层进行平坦化处理；
依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理，在所述字线多晶硅层上形成字线氧化层；
对目标区域进行刻蚀，去除所述目标区域的字线氧化层和目标深度的字线多晶硅层，形成控制栅，所述目标区域是所述衬底的存储单元区中，除所述控制栅对应的区域以外的其它区域；
在所述控制栅上形成金属硅化物层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述字线多晶硅层进行平坦化处理之后，还包括：
对所述字线多晶硅层进行离子注入，在所述字线多晶硅层上形成非晶态硅。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理中，快速热氧化处理的温度为700摄氏度至1500摄氏度。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理中，快速热氧化处理的时间为30秒至90秒。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述依次进行快速热氧化处理和炉管氧化处理中，炉管氧化处理的温度为620摄氏度至1220摄氏度。


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【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，熊伟，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32