半导体器件的制造方法技术

本申请公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体制造领域，该方法包括在衬底上沉积多晶硅层，衬底包括存储器件区域和逻辑器件区域，存储器件区域形成有闪存器件的栅极结构；通过光刻工艺定义出逻辑器件的N型掺杂区；根据N型掺杂区，对多晶硅层进行N型掺杂；沉积阻挡层，阻挡层用于保护多晶硅层；去除存储器件区域对应的阻挡层；去除闪存器件的栅极结构上方的多晶硅层、闪存器件结构以外的氧化物和氮化物；在多晶硅层形成逻辑器件的多晶硅栅；解决了闪存器件的制造过程中，存储区域外围电路区域中的多晶硅层容易被消耗，影响逻辑器件性能的问题；达到了提高逻辑器件中用于制作多晶硅栅的多晶硅层的稳定性的效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
闪存作为一种非易失性半导体器件，具有便捷、存储密度高、可靠性好等，随着经济和技术的发展，被广泛应用于手机、笔记本电脑、U盘等各类设备中。常见的闪存器件具有层叠的栅极结构，包括浮栅和覆盖浮栅的控制栅。在嵌入式闪存技术中，闪存器件和逻辑器件集成制作在同一衬底上，闪存器件的栅极制作完成后制作外围电路区域内逻辑器件的栅极。在90nm及以下节点的先进工艺中，栅氧化层的电性厚度降低，为了减少多晶硅耗尽效应和多晶硅掺杂扩散对逻辑器件的影响，在逻辑器件的多晶硅栅极形成之前，会先对逻辑器件的多晶硅层进行掺杂。在形成逻辑器件的多晶硅栅之前，需要先去除嵌入式闪存器件的栅极外侧的氮化硅，然而，在去除氮化硅的过程中，经过掺杂的多晶硅层也会被腐蚀而大量减少，对后续逻辑器件区域的工艺以及逻辑器件的性能造成严重影响。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种半导体器件的制造方法。该技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层用于制作逻辑器件的多晶硅栅，所述衬底包括存储器件区域和逻辑器件区域，所述存储器件区域形成有闪存器件的栅极结构；/n通过光刻工艺定义所述逻辑器件的N型掺杂区；/n根据所述N型掺杂区，对所述多晶硅层进行N型掺杂；/n沉积阻挡层，阻挡层用于保护所述多晶硅层；/n去除所述存储器件区域对应的阻挡层；/n去除所述闪存器件的栅极结构上方的多晶硅层、以及所述闪存器件结构以外的氧化物和氮化物；/n在所述多晶硅层形成所述逻辑器件的多晶硅栅。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层用于制作逻辑器件的多晶硅栅，所述衬底包括存储器件区域和逻辑器件区域，所述存储器件区域形成有闪存器件的栅极结构；
通过光刻工艺定义所述逻辑器件的N型掺杂区；
根据所述N型掺杂区，对所述多晶硅层进行N型掺杂；
沉积阻挡层，阻挡层用于保护所述多晶硅层；
去除所述存储器件区域对应的阻挡层；
去除所述闪存器件的栅极结构上方的多晶硅层、以及所述闪存器件结构以外的氧化物和氮化物；
在所述多晶硅层形成所述逻辑器件的多晶硅栅。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为氧化物层。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上沉积多晶硅层之前，所述方法还包括：
在所述衬底上形成栅氧化层。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过光刻工艺定义所述逻辑器件的N型掺杂区，包括：
通过光刻工艺定义N型逻辑器件的N型掺杂区。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据N型掺杂区，对所述多晶硅层进行N型掺杂，包括：
通过离子注入工艺，向所述N型掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，徐晓俊，熊伟，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32