晶体管结构及其形成方法技术

一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供基底；提供基底；在所述基底上形成栅极结构；其中，所述形成所述栅极结构的步骤包括：在所述基底上形成多层膜，所述多层膜中至少一层为单一元素层；对所述多层膜进行加热形成功函数层。与对合金靶材溅射形成的单层合金膜加热形成的功函数层相比，本发明专利技术实施例使得形成的基板边缘的功函数层和中心的功函数层中各原子或离子比例相差较小，进而使得基板上中心和边缘区域的功函数值相差较小，使得后续形成晶体管的性能及其均一性得到提高。

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶体管结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthresholdleakage)现象，即所谓的短沟道效应(short-channeleffects，SCE)更容易发生。因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成栅极结构；/n其中，所述形成所述栅极结构的步骤包括：/n在所述基底上形成多层膜，所述多层膜中至少一层为单一元素层；/n对所述多层膜进行加热形成功函数层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成栅极结构；
其中，所述形成所述栅极结构的步骤包括：
在所述基底上形成多层膜，所述多层膜中至少一层为单一元素层；
对所述多层膜进行加热形成功函数层。


2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用溅射工艺形成所述多层膜。


3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用回流工艺对所述多层膜进行所述加热。


4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成多层膜的步骤包括：在所述基底上形成第一层，所述第一层为第一元素层或者第一元素和第二元素构成的膜层；
在所述第一层上形成第二层，所述第二层包括第二元素且与所述第一层的材料不相同。


5.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层为第一元素层；所述第二层为第二元素层；形成所述多层膜的步骤还包括：
在所述第二层上形成第三层，所述第三层为第一元素层或者第一元素和第二元素构成的膜层。


6.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层的厚度为至所述第二层的厚度为至
所述第三层为第一元素层，厚度为至或者，所述第三层为第一元素和第二元素构成的膜层，厚度为至


7.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层为第一元素层；所述第二层为第一元素和第二元素构成的膜层；形成所述多层膜的步骤还包括：
在所述第二层上形成第三层，所述第三层为第二元素层或者第一元素层。


8.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层的厚度为至所述第二层的厚度为至所述第三层的厚度为至


9.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一层为第一元素和第二元素构成的膜层；所述第二层为第二元素层；形成所述多层膜的步骤还包括：
在所述第二层上形成第三层，所述第三层为第一元素层。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘城，王爱记，刘建强，刘自瑞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31