半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置通过如下工序制造：形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；在半导体层上形成导电膜的第二工序；将导电膜以在半导体层上分开的方式进行蚀刻来露出半导体层的一部分的第三工序；以及对导电膜及半导体层的一部分进行第一处理的第四工序。其中，导电膜包含铜、银、金或铝。第一处理是在包括含有氧元素的第一气体及含有氢元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种晶体管及晶体管的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
技术介绍
作为可用于晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且铟的比例比镓的比例高，使得场效应迁移率(有时，简称为迁移率或μFE)得到提高的半导体装置。由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以可以抑制设备投资本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：/n形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；/n在所述半导体层上形成导电膜的第二工序；/n以使其在所述半导体层上分开的方式对所述导电膜进行蚀刻来使所述半导体层的一部分露出的第三工序；/n对所述导电膜及所述半导体层的一部分进行第一处理的第四工序；以及/n以接触所述导电膜及所述半导体层的方式形成含有氧化物的第一绝缘膜的第五工序，/n其中，所述导电膜包含铜、银、金或铝，/n所述第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体及含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理，/n所述第一绝缘膜通过采用含有所述第一气体和含有硅元素的第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180119 JP 2018-0071941.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；
在所述半导体层上形成导电膜的第二工序；
以使其在所述半导体层上分开的方式对所述导电膜进行蚀刻来使所述半导体层的一部分露出的第三工序；
对所述导电膜及所述半导体层的一部分进行第一处理的第四工序；以及
以接触所述导电膜及所述半导体层的方式形成含有氧化物的第一绝缘膜的第五工序，
其中，所述导电膜包含铜、银、金或铝，
所述第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体及含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理，
所述第一绝缘膜通过采用含有所述第一气体和含有硅元素的第三气体的成膜气体的等离子体化学气相沉积法形成，
并且，所述第五工序在所述第四工序之后在不暴露于大气的情况下连续地进行。


2.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；
在所述半导体层上依次形成第一导电膜、第二导电膜及第三导电膜的第二工序；
以使所述第一导电膜、所述第二导电膜及所述第三导电膜在所述半导体层上彼此分开的方式进行蚀刻来使所述半导体层的一部分及所述第二导电膜的一部分露出的第三工序；
对所述第二导电膜的露出部分及所述半导体层的露出部分进行第一处理的第四工序；以及
以接触所述第二导电膜及所述半导体层的方式形成含有氧化物的第一绝缘膜的第五工序，
其中，所述第二导电膜包含铜、银、金或铝，
所述第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体及含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：中泽安孝，羽持贵士，大出贵之，冈崎健一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP