半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种通态电流大且可靠性良好的半导体装置。本发明专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第一导电体上、第二绝缘体上及第三绝缘体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体、第二导电体上的第六绝缘体、第三导电体上的第七绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第八绝缘体、位于第八绝缘体上且与第二氧化物重叠的第四导电体、位于第八绝缘体上且覆盖第四导电体的第九绝缘体以及第九绝缘体上的第十绝缘体，第二绝缘体与第一导电体的侧面接触，第十绝缘体与第四绝缘体接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片、模块以及电子设备。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、成像装置及电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。
技术介绍
作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。但是，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。作为氧化物半导体，例如，已知除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还有多元金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一绝缘体；/n所述第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体；/n所述第二绝缘体上的第三绝缘体；/n所述第一导电体上、所述第二绝缘体上及所述第三绝缘体上的第四绝缘体；/n所述第四绝缘体上的第五绝缘体；/n所述第五绝缘体上的第一氧化物；/n所述第一氧化物上的第二氧化物；/n所述第二氧化物上的第二导电体及第三导电体；/n所述第二导电体上的第六绝缘体；/n所述第三导电体上的第七绝缘体；/n所述第二氧化物上的第三氧化物；/n所述第三氧化物上的第八绝缘体；/n位于所述第八绝缘体上且与所述第二氧化物重叠的第四导电体；/n所述第八绝缘体上且覆盖所述第四导电体的第九绝缘体；以及/n所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180125 JP 2018-0105591.一种半导体装置，包括：
第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体；
所述第二绝缘体上的第三绝缘体；
所述第一导电体上、所述第二绝缘体上及所述第三绝缘体上的第四绝缘体；
所述第四绝缘体上的第五绝缘体；
所述第五绝缘体上的第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第二导电体及第三导电体；
所述第二导电体上的第六绝缘体；
所述第三导电体上的第七绝缘体；
所述第二氧化物上的第三氧化物；
所述第三氧化物上的第八绝缘体；
位于所述第八绝缘体上且与所述第二氧化物重叠的第四导电体；
所述第八绝缘体上且覆盖所述第四导电体的第九绝缘体；以及
所述第九绝缘体上的第十绝缘体，
其中，所述第二绝缘体与所述第一导电体的侧面接触，
并且，所述第十绝缘体与所述第四绝缘体接触。


2.一种半导体装置，包括：
第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体；
所述第二绝缘体上的第三绝缘体；
所述第一导电体上、所述第二绝缘体上及所述第三绝缘体上的第四绝缘体；
所述第四绝缘体上的第五绝缘体；
所述第五绝缘体上的第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第二导电体及第三导电体；
所述第二导电体上的第六绝缘体；
所述第三导电体上的第七绝缘体；
所述第二氧化物上的第三氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，藤井照幸，石塚章广，平石铃之介，高桥俊辅，永松翔，八塚昇大，山出直人，栃林克明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP