一种鳍型半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍型半导体器件及其制造方法。上述制造方法包括：提供衬底，上述衬底上形成有与上述衬底接触的鳍型沟道；对上述鳍型沟道的顶部进行外延生长，使顶部鳍型沟道向两侧和上方延伸；外延生长后的鳍型沟道进行氧化，并保留上述顶部鳍型沟道中心的沟道结构；以及去除氧化后的鳍型沟道，以使上述沟道结构悬空于上述衬底。本发明专利技术的一方面所提供的制造方法工艺流程简单，制造成本可控。本发明专利技术的另一方面所提供的鳍型半导体器件具有悬空于底部衬底的鳍型沟道以及覆盖悬空鳍型沟道的全包围栅极，从而有效地改进了鳍型场效应晶体管的器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种鳍型半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及制造领域，尤其涉及一种鳍型半导体器件及其制造方法。
技术介绍
自从早年德州仪器的JackKilby博士专利技术了集成电路之时起，科学家和工程师已经在半导体器件和工艺方面作出了众多专利技术和改进。近50年来半导体尺寸已经有了明显的降低，这导致了不断增长的处理速度和不断降低的功耗。迄今为止，半导体的发展大致遵循着摩尔定律，摩尔定律大意是指密集集成电路中晶体管的数量约每两年翻倍。现在，半导体工艺正在朝着20nm以下发展，其中一些公司正在着手14nm工艺。这里只是提供一个参考，硅原子约为0.2nm，这意味着通过20nm工艺制造出的两个独立组件之间的距离仅仅约为一百个硅原子。半导体器件制造因此变得越来越具有挑战性，并且朝着物理上可能的极限推进。随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成度越来越高。随着半导体器件特征尺寸的不断减小，传统的平面半导体制造技术已经无法使用，非平面技术的半导体器件应运而生，例如绝缘体上硅、双栅、多栅等新工艺的应用。目前鳍型场效应管(FinFET)在小尺寸领域被广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有与所述衬底接触的鳍型沟道；/n对所述鳍型沟道的顶部进行外延生长，使顶部鳍型沟道向两侧和上方延伸；/n对外延生长后的鳍型沟道进行氧化，并保留所述顶部鳍型沟道中心的沟道结构；以及/n去除氧化后的鳍型沟道，以使所述沟道结构悬空于所述衬底。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有与所述衬底接触的鳍型沟道；
对所述鳍型沟道的顶部进行外延生长，使顶部鳍型沟道向两侧和上方延伸；
对外延生长后的鳍型沟道进行氧化，并保留所述顶部鳍型沟道中心的沟道结构；以及
去除氧化后的鳍型沟道，以使所述沟道结构悬空于所述衬底。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述鳍型沟道的顶部进行外延生长进一步包括：
在所述鳍型沟道两侧的衬底上形成低于所述鳍型沟道的第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上形成高于所述鳍型沟道的第二阻挡层，所述鳍型沟道与两侧的第二阻挡层之间留有间隙；以及
在所述第一阻挡层上，以所述第二阻挡层为侧墙对所述鳍型沟道进行外延生长，以使所述顶部鳍型沟道向两侧和上方延伸。


3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一阻挡层进一步包括：
在所述衬底上沉积覆盖所述衬底和所述鳍型沟道的第一介电层，其中，覆盖所述衬底并低于所述鳍型沟道的部分为所述第一阻挡层，覆盖所述鳍型沟道的部分为所述第一介电层的凸起部；
形成所述第二阻挡层进一步包括：
沉积覆盖所述第一介电层的第二介电层；
图案化刻蚀所述凸起部上方的第二介电层，以形成所述第二阻挡层；以及
经由所述第二阻挡层去除所述凸起部，以在所述第二阻挡层与所述鳍型沟道之间形成间隙。


4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述第一阻挡层上，以所述第二阻挡层为侧墙对所述鳍型沟道进行外延生长进一步包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋铭，谭俊，颜强，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31