温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供基底；提供基底；在所述基底上形成栅极结构；其中，所述形成所述栅极结构的步骤包括：在所述基底上形成多层膜，所述多层膜中至少一层为单一元素层；对所述多层膜进行加热形成功函数层。与对合金靶材溅射形成的单层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。