带有阶梯型氧化层半导体器件及其制作方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带有阶梯型氧化层半导体器件及其制作方法。其中器件包括半导体基底，半导体基底中形成有相邻N型区和P阱，相邻N型区和P阱之间形成PN结的接面；热氧化层，热氧化层覆盖在N型区上；场介电层，场介电层形成于热氧化层上，与热氧化层之间形成第一阶梯；第一阶梯的上阶面为场介电层的上表面，下阶面为热氧化层的上表面；栅极氧化层，栅极氧化层覆盖在P阱上，栅极氧化层和热氧化层相接与接面位置处，且在该接面位置处形成第二阶梯；第二阶梯的上阶面为热氧化层的上表面，下阶面为栅极氧化层的上表面。可以在简化制作工艺的前提下解决相关技术中PN结的接面容易被击穿的问题。

【技术实现步骤摘要】
带有阶梯型氧化层半导体器件及其制作方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种带有阶梯型氧化层半导体器件及其制作方法。
技术介绍
在通过BCD(双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体，BipolarCMOS-DMOS)工艺制作的半导体集成电路结构包括相邻的N型漂移区和高压P阱，该高压P阱与该N型漂移区之间存在PN结的接面，在该接面位置处的电场更大，在该位置处器件容易被击穿。
技术实现思路
本申请提供了一种带有阶梯型氧化层半导体器件及其制作方法，可以在简化制作工艺的前提下解决相关技术中PN结的接面容易被击穿的问题。作为本申请的第一方面，提供一种带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，该带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法至少包括以下步骤：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成热氧化层；在所述热氧化层上依次形成氧化硅层和硬质掩模层；在所述硬质掩模层上，通过光刻胶定义出场介电区；去除所述场介电区以外的所述硬质掩模层；进行第一次湿法刻蚀，在横向上通过第一次湿法刻蚀去除所述场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：/n提供半导体基底，在所述半导体基底上形成热氧化层；/n在所述热氧化层上依次形成氧化硅层和硬质掩模层；/n在所述硬质掩模层上，通过光刻胶定义出场介电区；/n去除所述场介电区以外的所述硬质掩模层；/n进行第一次湿法刻蚀，在横向上通过第一次湿法刻蚀去除所述场介电区周围的氧化硅层，在纵向上，通过第一次湿法刻蚀暴露位于场介电区以外所述热氧化层，使得剩余的所述氧化硅层形成场介电层；/n通过光刻胶定义出栅氧区；/n进行第二次湿法刻蚀，去除所述栅氧区位置处的热氧化层；/n在所述栅氧区中淀积栅极氧化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
提供半导体基底，在所述半导体基底上形成热氧化层；
在所述热氧化层上依次形成氧化硅层和硬质掩模层；
在所述硬质掩模层上，通过光刻胶定义出场介电区；
去除所述场介电区以外的所述硬质掩模层；
进行第一次湿法刻蚀，在横向上通过第一次湿法刻蚀去除所述场介电区周围的氧化硅层，在纵向上，通过第一次湿法刻蚀暴露位于场介电区以外所述热氧化层，使得剩余的所述氧化硅层形成场介电层；
通过光刻胶定义出栅氧区；
进行第二次湿法刻蚀，去除所述栅氧区位置处的热氧化层；
在所述栅氧区中淀积栅极氧化层。


2.如权利要求1所述的带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，其特征在于，
在所述场介电层和所述热氧化层之间，形成以所述场介电层的上表面为上阶面，以所述热氧化层的上表面下阶面的第一阶梯；
在所述栅氧层和所述热氧化层之间，形成以所述热氧化层的上表面为上阶面，以所述栅氧层的上表面为下阶面的第二阶梯。


3.如权利要求1所述的带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，其特征在于，所述热氧化层的上表面为进行第一次湿法刻蚀的刻蚀停止面。


4.如权利要求1所述的带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，其特征在于，所述进行第一次湿法刻蚀包括：
以剩余所述硬质掩模层为刻蚀阻挡层，进行第一次湿法刻蚀；
在横向上，使得被第一次湿法刻蚀去除的氧化硅层区域从所述刻蚀阻挡层外周逐渐向所述刻蚀阻挡层中延伸。


5.如权利要求1所述的带有阶梯型氧化层半导体器件的制作方法，其特征在于，在横向上，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王黎，陈瑜，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32