温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带有阶梯型氧化层半导体器件及其制作方法。其中器件包括半导体基底，半导体基底中形成有相邻N型区和P阱，相邻N型区和P阱之间形成PN结的接面；热氧化层，热氧化层覆盖在N型区上；场介电层，场介电层形成于热...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。