一种双栅薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种双栅薄膜晶体管及其制作方法，该双栅薄膜晶体管，包括：衬底、位于所述衬底上的有源层、位于所述有源层上的介质层、位于所述介质层两侧的源电极和漏电极；还包括：并排位于所述介质层上的第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数和所述第二栅电极的功函数间存在功函数差，由于第一栅电极的材料和第二栅电极的材料不同，即存在功函数差，因此，在沟道中形成加速电场，进而有利于增加载流子的迁移率，降低亚阈值摆幅，改善器件的偏置稳定性并减少器件的关态电流，能够在亚阈值区域表现较佳效果。

【技术实现步骤摘要】
一种双栅薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种双栅薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管被广泛的应用于屏幕显示中，包括非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管等。现有的薄膜晶体管采用在顶栅型和底栅型的双栅结构来对器件进行优化，以保证屏幕显示的质量。具体地，顶栅型和底栅型的双栅结构为上下结构，这种上下结构的双栅晶体管在亚阈值区域性能并不佳。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一方面，本专利技术提供了一种双栅薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底上形成有源层；在所述有源层上的两端分别形成源电极和漏电极；在所述源电极和所述漏电极之间形成介质层；在所述介质层上并排形成第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数与所述第二栅电极的功函数间存在功函数差。进一步地，所述第一栅电极和所述第二栅电极分别对应如下任意两种材料：钼、铜、金、钛、钨和镍。另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成有源层；/n在所述有源层上的两端分别形成源电极和漏电极；/n在所述源电极和所述漏电极之间形成介质层；/n在所述介质层上并排形成第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数与所述第二栅电极的功函数间存在功函数差。/n

【技术特征摘要】
1.一种双栅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成有源层；
在所述有源层上的两端分别形成源电极和漏电极；
在所述源电极和所述漏电极之间形成介质层；
在所述介质层上并排形成第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数与所述第二栅电极的功函数间存在功函数差。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极分别对应如下任意两种材料：
钼、铜、金、钛、钨和镍。


3.一种双栅薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底、位于所述衬底上的有源层、位于所述有源层上的介质层、位于所述介质层两侧的源电极和漏电极；
还包括：并排位于所述介质层上的第一栅电极和第二栅电极，且所述第一栅电极的功函数和所述第二栅电极的功函数间存在功函数差。


4.如权利要求3所述的双栅薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极分别对应如下任意两种材料：
钼、铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泠，黄施捷，卢年端，耿玓，王嘉玮，李蒙蒙，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11