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本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种双栅薄膜晶体管及其制作方法，该双栅薄膜晶体管，包括：衬底、位于所述衬底上的有源层、位于所述有源层上的介质层、位于所述介质层两侧的源电极和漏电极；还包括：并排位于所述介质层上的第一栅电极和第二栅电极，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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